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安森美半导体沟槽型低正向压降肖特基整流器新系列,提供更高的开关能效 

新器件提供极低导电损耗、极佳温度稳定性及高浪涌电流处理能力,用于计算及消费应用

low forward voltage Schottky rectifiers2011年12月14日 – 应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)推出新系列的100伏(V)沟槽型低正向压降肖特基整流器(LVFR),用于笔记本适配器或平板显示器的开关电源、反向电池保护电路及高频直流-直流(DC-DC)转换器等应用。

新的NTST30100CTGNTST20100CTGNTSB20U100CTG系列器件采用沟槽拓扑结构,提供优异的低正向压降及更低漏电流,因而导电损耗低及大幅提升的电路能效,帮助设计工程师符合高能效标准规范要求,不会增加复杂度,例如无须同步整流。

此LVFR系列利用沟槽金属氧化物半导体(MOS)结构,在正向偏置条件下提供更大的导电区,因而显著降低正向压降。在反向偏置条件下,此结构产生“夹断”(pinch-off)效应,从而降低漏电流。跟平面型肖特基整流器不同,安森美半导体的沟槽型LVFR的开关性能在-40 °C至+150 °C的整个工作结点温度范围内都很优异。

为了证明LVFR的优势,安森美半导体将其30 A、100 V LVFR (NTST30100SG)与标准的30 A、100 V平面型肖特基整流器进行比较。基于65 W电源适配器测试的数据显示,使用LVFR比使用平面肖特基整流器的能效高1%。如此显著的能效提升使电源设计人员能够符合规范要求,同时不增加方案的复杂度及成本,例如无须同步整流。

安森美半导体功率分立分部高级总监兼总经理John Trice说:“我们的客户力求其产品设计更高能效,面市已久的平面型肖特基整流器根本无法高性价比地提供沟槽型LVFR系列所具的性能及能效。LVFR在扩展温度范围内提供优异正向压降及反向漏电流性能,超出我们客户提升电源能效的严格规格。”

安森美半导体新的LVFR器件及各自典型性能特性如下表所示:


安森美半导体
器件型号
简介 封装 VF (V) @ IF =5 A及TJ=125°C
NTST30100SG
NTSB30100S-1G
30-A (30A X 1) TO-220 AB
I2PAK
0.39
NTST30U100CTG
NTSB30U100CT-1G
NTST30U100CTH
30-A共阴极(15A X 2)
(H->无卤素)
TO-220 AB
I2PAK
TO-220 AB
0.42
NTST30100CTG
NTSB30100CT-1G
NTST30100CTH
30-A共阴极(15A X 2)
(H->无卤素)
TO-220 AB
I2PAK
TO-220 AB
0.45
NTST20100CTG
NTSB20100CT-1G
20 -A共阴极(10A X 2) TO-220 AB
I2PAK
0.5
NTST20U100CTG
NTSB20U100CT-1G
20 -A共阴极(10A X 2) TO-220 AB
I2PAK
0.5

新浪微博上关注@安森美半导体www.weibo.com/onsemiconductor

关于安森美半导体
安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)致力于推动高能效电子的创新,使客户能够减少全球的能源使用。公司全面的高能效电源和信号管理、逻辑、分立及定制方案阵容,帮助工程师解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗、军事/航空及电源应用的独特设计挑战。公司运营敏锐、可靠、世界一流的供应链及品质项目,及在北美、欧洲和亚太地区之关键市场运营包括制造厂、销售办事处及设计中心在内的业务网络。更多信息请访问http://www.onsemi.cn

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