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高効率エネルギーへのイノベーションを推進するオン・セミコンダクター(本社 米国アリゾナ州フェニックス、ONNN)と電力変換に特化したTransphorm社(本社 米国カリフォルニア州)は、窒化ガリウム(GaN)ベースのソリューションの販売に関して発表済みのパートナーシップに基づき、共同ブランドのNTP8G202N (TPH3202PS)とNTP8G206N(TPH3206PS)600 V GaNカスコードトランジスタ、およびそれを利用した240 Wリファレンス・デザインを発売することを本日発表しました。
オン・セミコンダクターのパワーMOSFET製品担当副社長兼ジェネラル・マネージャーのポール・レオナルド(Paul Leonard)は次のように述べています。「GaNトランジスタは、効率性と電力密度が重要なスイッチング電源およびその他のアプリケーションにおいて急激な性能向上を実現します。窒化ガリウムベースのデバイスの利点を熟知している技術者が増えているため、GaNベースの製品需要は急増しています。オン・セミコンダクターとTransphorm社は、新しい技術開発の最先端に立ち、市場での幅広い普及を加速化するために取り組んでいます」
2つの新製品であるNTP8G202N(TPH3202PS)とNTP8G206N(TPH3206PS)は、オン抵抗の標準値が290 mΩおよび150 mΩであり、最適化されたTO-220パッケージで提供されるため、お客様は既存の回路基板の製造設備に容易に統合できます。この600 Vの製品は、いずれもJEDEC準拠の製造プロセスで量産体制に入っています。
NCP1397GANGEVB(TDPS250E2D2)評価基板は、リファレンス・デザイン一式として提供されるため、お客様は自社の電力設計でGaNカスコードトランジスタを導入し評価できます。評価基板は、従来のデバイスを用いた電源よりも小型で効率性が向上しています。ブースト・ステージでNCP1654力率補正コントローラを利用して98%の効率性を実現しています。LLC DC/DCステージでは、NCP1397共振モードコントローラを使用して97%の全負荷効率を実現しています。この性能は、200 kHz超での動作中に達成され、しかもEN55022クラスB EMC性能を満たしています。詳しい資料は、オン・セミコンダクターのウェブサイトに掲載されています。
3月15日から米国で開催されるAPEC (Applied Power Electronics Conference) 2015では、オン・セミコンダクターの407ブース(Transphorm社のブースは1317)にて、GaNデバイスのデモを展示します。
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オン・セミコンダクターについて
オン・セミコンダクター(Nasdaq: ONNN)は、グローバルな省エネルギー実現のためデザインエンジニアを強化し、エネルギー効率のイノベーションをリードしてまいります。オン・セミコンダクターのエネルギー効率の高い、パワー&信号制御、ロジック、ディスクリートおよびカスタム・ソリューションの包括的なポートフォリオは、自動車、通信、コンピューティング、民生機器、産業用機器、LED 照明、医療機器、軍事/航空宇宙および電源アプリケーションにおける特有な設計上の課題を解決します。オン・セミコンダクターは、北米、ヨーロッパ、およびアジア太平洋地域の主要市場で、対応力、信頼性に優れた、世界クラスのサプライ・チェーンと品質保証体制、および製造工場、営業所、デザイン・センターのネットワークを稼働させています。詳細については、http://www.onsemi.jpをご覧ください。
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