feedback
Rate this webpage

Need
Support?


ATP112: P-Channel Power MOSFET, -60V, -25A, 43mΩ, Single ATPAK

Overview
Specifications
Datasheet: P-Channel Power MOSFET, -60V, -25A, 43mOhm, Single ATPAK
Rev. 1 (369.0kB)
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (2)
Product Overview
Описание продукта
ATP112 is P-Channel Power MOSFET, -60V, -25A, 43mΩ, Single ATPAK for General-Purpose Switching Device Application.
Отличительные черты
 
  • ON-resistance RDS(on)1=33mΩ (typ)
  • 4V drive
  • Input Capacitance Ciss=1450pF (typ)
  • Halogen free compliance
  • Protection diode in
Технические информацие
Руководства (2) Типы корпусов (1)
Спецификацие (1) Видео (1)
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
ATP112-TL-H Active
Pb-free
Halide free
P-Channel Power MOSFET, -60V, -25A, 43mΩ, Single ATPAK DPAK (Single Gauge) / ATPAK 369AM 1 Tape and Reel 3000 $0.2103
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : 8 to 12
Avnet   (2015-07-09) : >1K
Digikey   (2015-07-09) : >1K
Mouser   (2015-07-09) : >1K
Datasheet: P-Channel Power MOSFET, -60V, -25A, 43mOhm, Single ATPAK
Rev. 1 (369.0kB)
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (2)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     P-Channel Power MOSFET, -60V, -25A, 43mΩ, Single ATPAK   P-Channel   Single   -60   20   -2.6   -25   40     59   43     33.5   7.9     1450   155   125   DPAK (Single Gauge) / ATPAK 
Ранее просмотренные схемы
Очистить список

Новые микросхемы
 

NDBA100N10B  NDPL100N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 100 A

  • Low on-resistance as low as 6.9 mΩ
  • Low gate charge of 35 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available

NDBA180N10B  NDPL180N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 180 A

  • Ultra low on-resistance, as low as 2.8 mΩ
  • Low gate charge of 95 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available