feedback
Rate this webpage

Need
Support?


BBS3002: P-Channel Power MOSFET, -60V, -100A, 5.8mΩ, TO-263-2L/TO-263

Overview
Specifications
Datasheet: P-Channel Power MOSFET, -60V, -100A, 5.8mΩ, TO-263-2L/TO-263
Rev. 2 (265.0kB)
»Показать химический состав
»No Product Change Notifications exist
Product Overview
Описание продукта
BBS3002 is a P-Channel Power MOSFET, -60V, -100A, 5.8mΩ, TO-263-2L/TO-263.
Отличительные черты
 
  • ON-resistance RDS(on)1=4.4mΩ (typ)
  • Input capacitance Ciss=13200pF (typ)
  • 4V drive
Технические информацие
Руководства (1) Спецификацие (1)
Модели - Симуляция (1) Типы корпусов (2)
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
BBS3002-DL-1E Active
Pb-free
P-Channel Power MOSFET, -60V, -100A, 5.8mΩ, TO-263-2L/TO-263 D2PAK / TO-263-2L 418AP 1 Tape and Reel 800 $1.9
BBS3002-TL-1E Active
Pb-free
P-Channel Power MOSFET, -60V, -100A, 5.8mΩ, TO-263-2L/TO-263 D2PAK-3 418AJ 1 Tape and Reel 800 $1.9
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : Contact Factory
Digikey   (2015-07-09) : <1K
Mouser   (2015-07-09) : >1K
Market Leadtime (weeks) : 2 to 4
Mouser   (2015-07-09) : <1K
Datasheet: P-Channel Power MOSFET, -60V, -100A, 5.8mΩ, TO-263-2L/TO-263
Rev. 2 (265.0kB)
»Показать химический состав
»No Product Change Notifications exist
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free   Active     P-Channel Power MOSFET, -60V, -100A, 5.8mΩ, TO-263-2L/TO-263   P-Channel   Single   -60   20   -2.6   100   90       5.8     280   55     13200   1300   950   D2PAK / TO-263-2L 
 Pb-free   Active     P-Channel Power MOSFET, -60V, -100A, 5.8mΩ, TO-263-2L/TO-263   P-Channel   Single   -60   20   -2.6   100   90       5.8     280   55     13200   1300   950   D2PAK-3 
Ранее просмотренные схемы
Очистить список

Новые микросхемы
 

NDBA180N10B  NDPL180N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 180 A

  • Ultra low on-resistance, as low as 2.8 mΩ
  • Low gate charge of 95 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available

NDBA100N10B  NDPL100N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 100 A

  • Low on-resistance as low as 6.9 mΩ
  • Low gate charge of 35 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available