feedback
Rate this webpage

Need
Support?


BD810: High Power PNP BipolarTransistor

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Plastic High Power Silicon Transistor
Rev. 8 (89kB)
»Показать данные по надёжности
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (11)
Product Overview
Описание продукта
The High Power NPN Bipolar Power Transistor is designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi complementary circuits.
Отличительные черты
 
  • DC Current Gain - hFE = 30 (Min) @ IC = 2.0 Adc
  • Pb-Free Packages are Available
Технические информацие
Модели - Симуляция (4) Типы корпусов (1)
Спецификацие (1)  
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
BD810G Active
Pb-free
High Power PNP BipolarTransistor TO-220-3 221A-09 NA Tube 50 $0.5933
BD810 Last Shipments
High Power PNP BipolarTransistor TO-220-3 221A-09 NA Tube 50  
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : 2 to 4
Mouser   (2015-07-09) : <1K
ON Semiconductor   (2015-07-08) : 1,100
Market Leadtime (weeks) : Contact Factory
Datasheet: Plastic High Power Silicon Transistor
Rev. 8 (89kB)
»Показать данные по надёжности
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (11)
Product Overview

Product Compliance Status Description Polarity IC Continuous (A) V(BR)CEO Min (V) hFE Min hFE Max fT Min (MHz) PTM Max (W) Package Type
 Pb-free   Active     High Power PNP BipolarTransistor   PNP   10   80   30   -   1.5   90   TO-220-3 
Ранее просмотренные схемы
Очистить список