feedback
Rate this webpage

Need
Support?


CPH6350: P-Channel Power MOSFET, -30V, -6A, 43mΩ, Single CPH6

Overview
Specifications
Datasheet: P-Channel Power MOSFET -30V -6A 43mOhm Single CPH6
Rev. 2 (295.0kB)
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (3)
Product Overview
Описание продукта
CPH6350 is P-Channel Power MOSFET, -30V, -6A, 43mΩ, Single CPH6 for General-Purpose Switching Device Applications.
Отличительные черты
 
  • 4.0V gate drive
  • Low ON resistance
  • Protection diode in
Технические информацие
Спецификацие (1) Типы корпусов (1)
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
CPH6350-TL-E Active, Not Rec
Pb-free
P-Channel Power MOSFET, -30V, -6A, 43mΩ, Single CPH6 CPH-6 318BD 1 Tape and Reel 3000  
CPH6350-TL-W Active
Pb-free
Halide free
P-Channel Power MOSFET, -30V, -6A, 43mΩ, Single CPH6 CPH-6 318BD 1 Tape and Reel 3000 $0.1293
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : 4 to 8
Mouser   (2015-07-09) : >1K
Market Leadtime (weeks) : 4 to 8
Mouser   (2015-07-09) : >1K
Datasheet: P-Channel Power MOSFET -30V -6A 43mOhm Single CPH6
Rev. 2 (295.0kB)
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (3)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     P-Channel Power MOSFET, -30V, -6A, 43mΩ, Single CPH6   P-Channel   Single   -30   20   -2.6   -6   1.6     82   43     13   3.2     600   145   110   CPH-6 
Ранее просмотренные схемы
Очистить список

Новые микросхемы
 

NTP8G202N  Power GaN Cascode Transistor, 600 V, 290 mΩ Single N-Channel

  • Fast switching
  • Extremely low Qrr
  • High efficiencies

NDBA180N10B  NDPL180N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 180 A

  • Ultra low on-resistance, as low as 2.8 mΩ
  • Low gate charge of 95 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available