feedback
Rate this webpage

Need
Support?


ECH8309: P-Channel Power MOSFET, -12V, -9.5A, 16mΩ, Single ECH8

Overview
Specifications
Datasheet: P-Channel Power MOSFET, -12V, -9.5A, 16mOhm, Single ECH8
Rev. 1 (302.0kB)
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (1)
Product Overview
Описание продукта
ECH8309 is P-Channel Power MOSFET, -12V, -9.5A, 16mΩ, Single ECH8 for General-Purpose Switching Device Application.
Отличительные черты
 
  • 1.8V Drive
  • Halogen free compliance
  • Protection diode in
Технические информацие
Спецификацие (1) Типы корпусов (1)
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
ECH8309-TL-H Active
Pb-free
Halide free
P-Channel Power MOSFET, -12V, -9.5A, 16mΩ, Single ECH8 SOT-28 FL / ECH-8 318BF 1 Tape and Reel 3000 $0.2213
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : Contact Factory
Datasheet: P-Channel Power MOSFET, -12V, -9.5A, 16mOhm, Single ECH8
Rev. 1 (302.0kB)
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (1)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     P-Channel Power MOSFET, -12V, -9.5A, 16mΩ, Single ECH8   P-Channel   Single   -12   10   -1.3   -9.5   1.5   26   16     18     4.9     1780   540   390   SOT-28 FL / ECH-8 
Ранее просмотренные схемы
Очистить список

Новые микросхемы
 

NDBA100N10B  NDPL100N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 100 A

  • Low on-resistance as low as 6.9 mΩ
  • Low gate charge of 35 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available

NDBA180N10B  NDPL180N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 180 A

  • Ultra low on-resistance, as low as 2.8 mΩ
  • Low gate charge of 95 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available