feedback
Rate this webpage

Need
Support?


EFC6612R: Power MOSFET, 20V, 5.1mΩ, 23A, Dual N-Channel

Overview
Specifications
Datasheet: Power MOSFET, 20V, 5.1mOhm, 23A, Dual N-Channel
Rev. 1 (538kB)
»Показать химический состав
»No Product Change Notifications exist
Product Overview
Описание продукта
EFC6612R is a Power MOSFET, 20V, 5.1mΩ, 23A, Dual N-Channel.
Отличительные черты   Benefits
     
  • 2.5V drive
 
  • Suites for Li-Ion battery pack protection circuit(1cell, 2cell)
  • Protection diode in
 
  • Best suited for Li-Ion battery pack protection circuit
  • Common-drain type
 
  • Stronger to ESD
  • Halogen free compliance
 
  • Environmental consideration
  • 2KV ESD HBM
   
Применения   End Products
  • Lithium-ion battery charging and discharging switch
 
  • lithium ion battery - Smart Phone,Cell Phone,Tablet PC,Digital still camera, etc.
Технические информацие
Спецификацие (1) Типы корпусов (1)
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
EFC6612R-TF Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET, 20V, 5.1mΩ, 23A, Dual N-Channel CSP-6 / EFCP3517-6DGH-020 568AL NA Tape and Reel 5000 $0.3733
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : Contact Factory
Mouser   (2015-07-09) : >1K
Datasheet: Power MOSFET, 20V, 5.1mOhm, 23A, Dual N-Channel
Rev. 1 (538kB)
»Показать химический состав
»No Product Change Notifications exist
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET, 20V, 5.1mΩ, 23A, Dual N-Channel   N-Channel   Dual   20   12   1.3   23   2.5   7.9   5.1     27               CSP-6 / EFCP3517-6DGH-020 
Ранее просмотренные схемы
Очистить список

Новые микросхемы
 

NDBA180N10B  NDPL180N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 180 A

  • Ultra low on-resistance, as low as 2.8 mΩ
  • Low gate charge of 95 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available

NTP8G202N  Power GaN Cascode Transistor, 600 V, 290 mΩ Single N-Channel

  • Fast switching
  • Extremely low Qrr
  • High efficiencies