feedback
Rate this webpage

Need
Support?


EMH2407: N-Channel Power MOSFET, 20V, 6A, 25mΩ, Dual EMH8

Overview
Specifications
Datasheet: N-Channel Power MOSFET, 20V, 6A, 25mOhm, Dual EMH8
Rev. 1 (550.0kB)
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (1)
Product Overview
Описание продукта
EMH2407 is an N-Channel Power MOSFET, 20V, 6A, 25mΩ, Dual EMH8 for General-Purpose Switching Device Applications.
Отличительные черты
 
  • Low ON-resistance
  • Best suited for LiB charging and discharging switch
  • Common-drain type
  • 2.5V drive
Технические информацие
Модели - Симуляция (1) Типы корпусов (1)
Спецификацие (1)  
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
EMH2407-TL-H Active
Pb-free
Halide free
N-Channel Power MOSFET, 20V, 6A, 25mΩ, Dual EMH8 SOT-383FL / EMH-8 419AT 1 Tape and Reel 3000 $0.22
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : Contact Factory
Avnet   (2015-07-09) : <1K
Mouser   (2015-07-09) : >1K
Datasheet: N-Channel Power MOSFET, 20V, 6A, 25mOhm, Dual EMH8
Rev. 1 (550.0kB)
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (1)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     N-Channel Power MOSFET, 20V, 6A, 25mΩ, Dual EMH8   N-Channel   Dual   20   12   1.3   6   1.3   39   25     6.3     1.9     580   95   75   SOT-383FL / EMH-8 
Ранее просмотренные схемы
Очистить список

Новые микросхемы
 

NDBA100N10B  NDPL100N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 100 A

  • Low on-resistance as low as 6.9 mΩ
  • Low gate charge of 35 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available

NTP8G202N  Power GaN Cascode Transistor, 600 V, 290 mΩ Single N-Channel

  • Fast switching
  • Extremely low Qrr
  • High efficiencies