feedback
Rate this webpage

Need
Support?


EMH2801: P-Channel Power MOSFET, -20V, -3A, 85mΩ, Single EMH8 with Schottky Diode

Overview
Specifications
Datasheet: P-Channel Power MOSFET, -20V, -3A, 85mOhm, Single EMH8 with Schottky Diode
Rev. 1 (616.0kB)
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (1)
Product Overview
Описание продукта
EMH2801 is a P-Channel Power MOSFET, -20V, -3A, 85mΩ, Single EMH8 with Schottky Diode for General-Purpose Switching Device Applications.
Отличительные черты
 
  • Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET and a Schottky Barrier Diode contained in one package
    facilitating high-density mounting
  • MOSFET : Low ON-resistance
  • MOSFET : 1.8V drive
  • SBD : Small switching noise
  • SBD : Low forward voltage (IF = 2.0A, VF max = 0.46V)
  • Halogen free compliance
Технические информацие
Спецификацие (1) Типы корпусов (1)
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
EMH2801-TL-H Active
Pb-free
Halide free
P-Channel Power MOSFET, -20V, -3A, 85mΩ, Single EMH8 with Schottky Diode SOT-383FL / EMH-8 419AT 1 Tape and Reel 3000 $0.1667
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : Contact Factory
Datasheet: P-Channel Power MOSFET, -20V, -3A, 85mOhm, Single EMH8 with Schottky Diode
Rev. 1 (616.0kB)
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (1)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     P-Channel Power MOSFET, -20V, -3A, 85mΩ, Single EMH8 with Schottky Diode   P-Channel   with Schottky Diode   -20   10   -1.3   -3   1   137   85     4     1.1     320   66   50   SOT-383FL / EMH-8 
Ранее просмотренные схемы
Очистить список

Новые микросхемы
 

NTP8G202N  Power GaN Cascode Transistor, 600 V, 290 mΩ Single N-Channel

  • Fast switching
  • Extremely low Qrr
  • High efficiencies

NDBA100N10B  NDPL100N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 100 A

  • Low on-resistance as low as 6.9 mΩ
  • Low gate charge of 35 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available