feedback
Rate this webpage

Need
Support?


FW389: Power MOSFET, 100V, 2A, 225mΩ, -100V, -2A, 300mΩ, Complementary Dual SOIC-8

Overview
Specifications
Datasheet: Power MOSFET, 100V, 2A, 225mOhm, -100V, -2A, 300mOhm, Complementary Dual SOIC-8
Rev. 1 (1196kB)
»Показать химический состав
»No Product Change Notifications exist
Product Overview
Описание продукта
FW389 is a Power MOSFET, 100V, 2A, 225mΩ, -100V, -2A, 300mΩ, Complementary Dual SOIC-8 for General-Purpose Switching Device Application.
Отличительные черты
 
  • ON-resistance
    Nch : RDS(on)1 = 165mΩ (typ)
    Pch : RDS(on)1 = 230mΩ (typ)
  • Input Capacitance
    Nch : Ciss = 490pF (typ)
    Pch : Ciss = 1000pF (typ)
  • 4V drive
  • Halogen free compliance
  • Protection diode in
Технические информацие
Модели - Симуляция (1) Типы корпусов (1)
Спецификацие (1)  
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
FW389-TL-2W Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET, 100V, 2A, 225mΩ, -100V, -2A, 300mΩ, Complementary Dual SOIC-8 SOIC-8 751CR 1 Tape and Reel 2500 $0.285
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : 2 to 4
Avnet   (2015-07-09) : >1K
Mouser   (2015-07-09) : >1K
Datasheet: Power MOSFET, 100V, 2A, 225mOhm, -100V, -2A, 300mOhm, Complementary Dual SOIC-8
Rev. 1 (1196kB)
»Показать химический состав
»No Product Change Notifications exist
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET, 100V, 2A, 225mΩ, -100V, -2A, 300mΩ, Complementary Dual SOIC-8   Complementary   Dual   100   20   2.6   2   1.8     254   225     10   2.1     490   34   13   SOIC-8 
Ранее просмотренные схемы
Очистить список

Новые микросхемы
 

NTP8G206N  Power GaN Cascode Transistor, 600 V, 150 mΩ Single N-Channel

  • Fast switching
  • Extremely low Qrr
  • High efficiencies

NDBA100N10B  NDPL100N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 100 A

  • Low on-resistance as low as 6.9 mΩ
  • Low gate charge of 35 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available