feedback
Rate this webpage

Need
Support?


FW4604: Power MOSFET, 30V, -4.5A/6A, 65mΩ/39mΩ, Complementary Dual SOIC8

Overview
Specifications
Datasheet: Power MOSFET 30V, 6A, 39mOhm, -30V, -4.5A, 65mOhm, Complementary Dual SOIC8
Rev. 2 (369kB)
»Показать химический состав
»No Product Change Notifications exist
Product Overview
Описание продукта
FW4604 is Power MOSFET, 30V, -4.5A/6A, 65mΩ/39mΩ, Complementary Dual SOIC8 for General-Purpose Switching Device Application.
Отличительные черты   Benefits
     
  • Low capacitance
 
  • Ease of drive, faster turn-on/turn-off
  • 2chips in 1Package(PN complementary)
 
  • Reduced mounting area
  • ESD Diode - Protected Gate
 
  • ESD resistance
  • Pb-free,Halogen-free and RoHS Compliance
 
  • Environmental consideration
Применения   End Products
  • Motor Drive
 
  • Fan Motor
Технические информацие
Модели - Симуляция (1) Типы корпусов (1)
Спецификацие (1)  
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
FW4604-TL-2W Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET, 30V, -4.5A/6A, 65mΩ/39mΩ, Complementary Dual SOIC8 SOIC-8 751CR 1 Tape and Reel 2500 $0.3027
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : 2 to 4
Datasheet: Power MOSFET 30V, 6A, 39mOhm, -30V, -4.5A, 65mOhm, Complementary Dual SOIC8
Rev. 2 (369kB)
»Показать химический состав
»No Product Change Notifications exist
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET, 30V, -4.5A/6A, 65mΩ/39mΩ, Complementary Dual SOIC8   Complementary   Dual   30   20   2.6   6   1.8     70   39     9.1   1.7     430   105   75   SOIC-8 
Ранее просмотренные схемы
Очистить список

Новые микросхемы
 

NDBA100N10B  NDPL100N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 100 A

  • Low on-resistance as low as 6.9 mΩ
  • Low gate charge of 35 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available

NTP8G206N  Power GaN Cascode Transistor, 600 V, 150 mΩ Single N-Channel

  • Fast switching
  • Extremely low Qrr
  • High efficiencies