feedback
Rate this webpage

Need
Support?


NDF10N60Z: Power MOSFET 600V 10A 0.75 Ù Single N-Channel TO-220FP

Overview
Specifications
Datasheet: Power MOSFET, N-Channel, 600 V, 0.75 Ω
Rev. 13 (112kB)
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (2)
Product Overview
Описание продукта
Power MOSFET 600V 0.750 Ohm Single N-Channel
Отличительные черты   Benefits
     
  • Low ON Resistance
 
  • Improves efficiency
  • Low Gate Charge
 
  • Faster turn-on
  • Fast switching
 
  • Reduces dynamic power losses
  • ESD diode-protected gate
 
  • ESD resistance
  • 100% Avalanche Tested
   
  • This Device is Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and RoHS Compliant
   
  • 100% Rg Tested
   
Применения   End Products
  • Adapter (Notebook, Printer, Gaming)
  • ATX Power Supplies
  • Lighting Ballasts
  • LCD Panel Power
 
  • SMPS
  • Lighting Ballast
Технические информацие
Модели - Симуляция (4) Типы корпусов (1)
Спецификацие (1)  
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
NDF10N60ZG Active, Not Rec
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 600V 10A 0.75 Ù Single N-Channel TO-220FP TO-220 FULLPAK-3 221AH NA Tube 50 $0.5667
NDF10N60ZH Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 600V 10A 0.75 Ù Single N-Channel TO-220FP, Optimized TO-220 FULLPAK-3 221AH NA Tube 50 $0.5063
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : 2 to 4
Chip1Stop   (2015-07-09) : <1K
Digikey   (2015-07-09) : <1K
PandS   (2015-07-09) : <100
Market Leadtime (weeks) : 4 to 8
Digikey   (2015-07-09) : <1K
Mouser   (2015-07-09) : <1K
Datasheet: Power MOSFET, N-Channel, 600 V, 0.75 Ω
Rev. 13 (112kB)
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (2)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 600V 10A 0.75 Ù Single N-Channel TO-220FP, Optimized   N-Channel   Single   600   30   4.5   10   39           47   26   3   1373   150   35   TO-220 FULLPAK-3 
Ранее просмотренные схемы
Очистить список

Новые микросхемы
 

NDBA100N10B  NDPL100N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 100 A

  • Low on-resistance as low as 6.9 mΩ
  • Low gate charge of 35 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available

NTP8G202N  Power GaN Cascode Transistor, 600 V, 290 mΩ Single N-Channel

  • Fast switching
  • Extremely low Qrr
  • High efficiencies