feedback
Rate this webpage

Need
Support?


NTB5405N: Power MOSFET 40V 116A 5.8 mOhm Single N-Channel D2PAK

Overview
Specifications
Datasheet: Power MOSFET, 40 V, 116 A, Single N-Channel
Rev. 5 (71kB)
»Показать данные по надёжности
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (4)
Product Overview
Описание продукта
Power MOSFET 40 V, 116 A, Single N-Channel D2PAK
Отличительные черты
 
  • Low RDS(on)
  • High Current Capability
  • Low Gate Charge
  • These are Pb-Free Devices
Применения
  • Electronic Brake Systems
  • Electronic Power Steering
  • Bridge Circuits
Технические информацие
Модели - Симуляция (4) Типы корпусов (1)
Спецификацие (1)  
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
NTB5405NG Last Shipments 
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 40V 116A 5.8 mOhm Single N-Channel D2PAK D2PAK-3 418B-04 1 Tube 50  
NTB5405NT4G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 40V 116A 5.8 mOhm Single N-Channel D2PAK D2PAK-3 418B-04 1 Tape and Reel 800 $1.0701
NVB5405NT4G Active
AEC Qualified
PPAP Capable
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 40V 116A 5.8 mOhm Single N-Channel D2PAK D2PAK-3 418B-04 1 Tape and Reel 800 $1.1772
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : Contact Factory
PandS   (2015-07-09) : <100
Market Leadtime (weeks) : Contact Factory
Mouser   (2015-07-09) : <1K
Market Leadtime (weeks) : Contact Factory
Datasheet: Power MOSFET, 40 V, 116 A, Single N-Channel
Rev. 5 (71kB)
»Показать данные по надёжности
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (4)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 40V 116A 5.8 mOhm Single N-Channel D2PAK   N-Channel   Single   40   20   3.5   116   150     8   5.8     88   37   113   2700   700   200   D2PAK-3 
 AEC Qualified 
 PPAP Capable 
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 40V 116A 5.8 mOhm Single N-Channel D2PAK   N-Channel                                   D2PAK-3 
Ранее просмотренные схемы
Очистить список

Новые микросхемы
 

NDBA180N10B  NDPL180N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 180 A

  • Ultra low on-resistance, as low as 2.8 mΩ
  • Low gate charge of 95 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available

NTP8G206N  Power GaN Cascode Transistor, 600 V, 150 mΩ Single N-Channel

  • Fast switching
  • Extremely low Qrr
  • High efficiencies