feedback
Rate this webpage

Need
Support?


NTD110N02R: Power MOSFET 24V 110A 4.6 mOhm Single N-Channel DPAK

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Power MOSFET 24 V, 110 A, N-Channel DPAK
Rev. 11 (96kB)
»Показать данные по надёжности
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (9)
Product Overview
Описание продукта
Power MOSFET 24V 110A 4.6 mOhm Single N-Channel DPAK
Отличительные черты
 
  • Planar HD3e Process for Fast Switching Performance
  • Body Diode for Low trr and Qrr and Optimized for Synchronous Operation 24 VOLTS
  • Low Ciss to Minimize Driver Loss
  • Optimized Qgd * RDS(on) for Shoot-Through Protection
  • Low Gate Charge
  • Pb-Free Packages are Available
Технические информацие
Модели - Симуляция (4) Типы корпусов (2)
Спецификацие (1)  
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
NTD110N02R-001G Last Shipments 
Pb-free
Power MOSFET 24V 110A 4.6 mOhm Single N-Channel DPAK IPAK-4 369D NA Tube 75  
NTD110N02RG Last Shipments 
Pb-free
Power MOSFET 24V 110A 4.6 mOhm Single N-Channel DPAK DPAK-3 369AA 1 Tube 75  
NTD110N02RT4G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 24V 110A 4.6 mOhm Single N-Channel DPAK DPAK-3 369AA 1 Tape and Reel 2500 $0.44
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : Contact Factory
Market Leadtime (weeks) : Contact Factory
Market Leadtime (weeks) : 2 to 4
Arrow   (Sat Jul 11 03:18:29 MST 2015) : 15000
Avnet   (2015-07-09) : >1K
Digikey   (2015-07-09) : >1K
Mouser   (2015-07-09) : >1K
PandS   (2015-07-09) : >1K
Datasheet: Power MOSFET 24 V, 110 A, N-Channel DPAK
Rev. 11 (96kB)
»Показать данные по надёжности
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (9)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 24V 110A 4.6 mOhm Single N-Channel DPAK   N-Channel   Single   24   20   2   110   110     6.2   4.6   23.6     11   0.048   2710   1105   450   DPAK-3 
Ранее просмотренные схемы
Очистить список

Новые микросхемы
 

NTP8G206N  Power GaN Cascode Transistor, 600 V, 150 mΩ Single N-Channel

  • Fast switching
  • Extremely low Qrr
  • High efficiencies

NDBA100N10B  NDPL100N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 100 A

  • Low on-resistance as low as 6.9 mΩ
  • Low gate charge of 35 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available