feedback
Rate this webpage

Need
Support?


NTD4302: Power MOSFET 30V 18.5A 10 mOhm Single N-Channel DPAK

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Power MOSFET, 68 A, 30 V, N-Channel DPAK/IPAK
Rev. 9 (114kB)
»Показать данные по надёжности
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (22)
Product Overview
Описание продукта
NTD4302
Отличительные черты
 
  • Ultra Low RDS(on)
  • Higher Efficiency Extending Battery Life
  • Logic Level Gate Drive
  • Diode Exhibits High Speed, Soft Recovery
  • Avalanche Energy Specified
  • IDSS Specified at Elevated Temperature
  • DPAK Mounting Information Provided
  • Pb-Free Packages are Available
Применения
  • DC-DC Converters
  • Low Voltage Motor Control
  • Power Management in Portable and Battery Powered Products:
    i.e., Computers, Printers, Cellular and Cordless Telephones, and
    PCMCIA Cards
Технические информацие
Модели - Симуляция (4) Типы корпусов (2)
Спецификацие (1)  
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
NTD4302 Obsolete
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 18.5A 10 mOhm Single N-Channel DPAK DPAK-3 369AA 1 Tube 75  
NTD4302-1G Last Shipments 
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 18.5A 10 mOhm Single N-Channel DPAK IPAK-4 369D NA Tube 75  
NTD4302G Last Shipments 
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 18.5A 10 mOhm Single N-Channel DPAK DPAK-3 369AA 1 Tube 75  
NTD4302T4 Obsolete
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 18.5A 10 mOhm Single N-Channel DPAK DPAK-3 369AA 1 Tape and Reel 2500  
NTD4302T4G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 18.5A 10 mOhm Single N-Channel DPAK DPAK-3 369AA 1 Tape and Reel 2500 $0.4267
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : Contact Factory
PandS   (2015-07-09) : <1K
Market Leadtime (weeks) : Contact Factory
Market Leadtime (weeks) : Contact Factory
Market Leadtime (weeks) : Contact Factory
Market Leadtime (weeks) : 4 to 8
Arrow   (Sat Jul 11 03:18:41 MST 2015) : 2475
Avnet   (2015-07-09) : >1K
Digikey   (2015-07-09) : >1K
FutureElectronics   (2015-07-09) : >1K
Mouser   (2015-07-09) : >1K
Datasheet: Power MOSFET, 68 A, 30 V, N-Channel DPAK/IPAK
Rev. 9 (114kB)
»Показать данные по надёжности
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (22)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 30V 18.5A 10 mOhm Single N-Channel DPAK   N-Channel   Single   30   20   3   68   75     13   10     55     0.043   2050   640   225   DPAK-3 
Ранее просмотренные схемы
Очистить список

Новые микросхемы
 

NDBA180N10B  NDPL180N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 180 A

  • Ultra low on-resistance, as low as 2.8 mΩ
  • Low gate charge of 95 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available

NTP8G206N  Power GaN Cascode Transistor, 600 V, 150 mΩ Single N-Channel

  • Fast switching
  • Extremely low Qrr
  • High efficiencies