feedback
Rate this webpage

Need
Support?


NTD4808N: Power MOSFET 30V 63A 8 mOhm Single N-Channel DPAK

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Power MOSFET, 30 V, 63 A, Single N-Channel
Rev. 8 (116kB)
»Показать данные по надёжности
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (10)
Product Overview
Описание продукта
Power MOSFET 30 V, 63 A, N-Channel, DPAK/IPAK
Отличительные черты
 
  • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
  • Low Capacitance to Minimize Driver Losses
  • Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses
Применения
  • CPU Power Delivery
  • Low Side Switching
Технические информацие
Программно-инструментальные средства разработки (1) Спецификацие (1)
Статьи по применению (1) Типы корпусов (2)
Модели - Симуляция (4)  
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
NTD4808N-1G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 63A 8 mOhm Single N-Channel DPAK IPAK-4 369D 1 Tube 75 $0.2067
NTD4808NT4G Last Shipments 
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 63A 8 mOhm Single N-Channel DPAK DPAK-3 369AA 1 Tape and Reel 2500  
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : 4 to 8
Market Leadtime (weeks) : Contact Factory
PandS   (2015-07-09) : <1K
Datasheet: Power MOSFET, 30 V, 63 A, Single N-Channel
Rev. 8 (116kB)
»Показать данные по надёжности
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (10)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 30V 63A 8 mOhm Single N-Channel DPAK   N-Channel   Single   30   20   2.5   63   54.6     12.4   8   11.3   26   4.9   9.7   1538   334   180   IPAK-4 
Ранее просмотренные схемы
Очистить список

Новые микросхемы
 

NDBA180N10B  NDPL180N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 180 A

  • Ultra low on-resistance, as low as 2.8 mΩ
  • Low gate charge of 95 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available

NDBA100N10B  NDPL100N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 100 A

  • Low on-resistance as low as 6.9 mΩ
  • Low gate charge of 35 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available