feedback
Rate this webpage

Need
Support?


NTD4809N: Power MOSFET 30V 58A 9 mOhm Single N-Channel DPAK

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Power MOSFET, 30 V, 58 A, Single N-Channel
Rev. 14 (117kB)
»Показать данные по надёжности
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (13)
Product Overview
Описание продукта
Power MOSFET 30 V, 58 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK
Отличительные черты
 
  • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
  • Low Capacitance to Minimize Driver Losses
  • Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses
  • These are Pb-Free Devices
Применения
  • CPU Power Delivery
  • DC-DC Coverters
  • Low Side Switching
Технические информацие
Программно-инструментальные средства разработки (1) Спецификацие (1)
Статьи по применению (1) Типы корпусов (3)
Модели - Симуляция (4)  
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
NTD4809N-1G Last Shipments 
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 58A 9 mOhm Single N-Channel DPAK IPAK-4 369D 1 Tube 75  
NTD4809N-35G Lifetime
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 58A 9 mOhm Single N-Channel DPAK IPAK-3 369AD 1 Tube 75  
NTD4809NT4G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 58A 9 mOhm Single N-Channel DPAK DPAK-3 369AA 1 Tape and Reel 2500 $0.1933
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : Contact Factory
Market Leadtime (weeks) : Contact Factory
Mouser   (2015-07-09) : >1K
Market Leadtime (weeks) : 4 to 8
Digikey   (2015-07-09) : >10K
Mouser   (2015-07-09) : >1K
Datasheet: Power MOSFET, 30 V, 58 A, Single N-Channel
Rev. 14 (117kB)
»Показать данные по надёжности
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (13)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 30V 58A 9 mOhm Single N-Channel DPAK   N-Channel   Single   30   20   2.5   58   52     14   9   11   25   5   9.2   1456   315   200   DPAK-3 
Ранее просмотренные схемы
Очистить список

Новые микросхемы
 

NTP8G202N  Power GaN Cascode Transistor, 600 V, 290 mΩ Single N-Channel

  • Fast switching
  • Extremely low Qrr
  • High efficiencies

NTP8G206N  Power GaN Cascode Transistor, 600 V, 150 mΩ Single N-Channel

  • Fast switching
  • Extremely low Qrr
  • High efficiencies