feedback
Rate this webpage

Need
Support?


NTD4813NH: Power MOSFET 30V 40A 13 mOhm Single N-Channel DPAK

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Power MOSFET, 30 V, 40 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK
Rev. 4 (111kB)
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (10)
Product Overview
Описание продукта
Power MOSFET 30 V, 40 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK
Отличительные черты
 
  • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
  • Low Capacitance to Minimize Driver Losses
  • Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses
  • These are Pb-Free Devices
  • Low Rg
Применения   End Products
  • CPU Power Delivery
  • DC-DC Converters
 
  • High Side Switching
Технические информацие
Программно-инструментальные средства разработки (1) Спецификацие (1)
Статьи по применению (1) Типы корпусов (1)
Модели - Симуляция (4)  
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
NTD4813NHT4G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 40A 13 mOhm Single N-Channel DPAK DPAK-3 369AA 1 Tape and Reel 2500 $0.1733
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : 2 to 4
Datasheet: Power MOSFET, 30 V, 40 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK
Rev. 4 (111kB)
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (10)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 30V 40A 13 mOhm Single N-Channel DPAK   N-Channel   Single   30   20   2.5   40   35.3     25.9   13   7.1   18.2   3   7   940   201   115   DPAK-3 
Ранее просмотренные схемы
Очистить список

Новые микросхемы
 

NDBA180N10B  NDPL180N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 180 A

  • Ultra low on-resistance, as low as 2.8 mΩ
  • Low gate charge of 95 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available

NTP8G202N  Power GaN Cascode Transistor, 600 V, 290 mΩ Single N-Channel

  • Fast switching
  • Extremely low Qrr
  • High efficiencies