feedback
Rate this webpage

Need
Support?


NTD4860N: Power MOSFET 25V 65A 7.5 mOhm Single N-Channel DPAK

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Power MOSFET, 25 V, 65 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK
Rev. 2 (118kB)
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (6)
Product Overview
Описание продукта
Power MOSFET Single N Channel, 25V, 65A, DPAK/IPAK
Отличительные черты   Benefits
     
  • Low Capacitance
 
  • Minimize Driver Losses
  • Optimized Gate Charge
 
  • Minimize Switching Losses
  • Low Rds(on)
 
  • Minimize Conduction Losses
  • Trench Technology
   
Применения   End Products
  • Vcore Applications
  • DC-DC Converters
  • High/Low Side Switching
 
  • Desktop PC, Graphic Cards, Game Consoles, and other computing and consumer products
Технические информацие
Программно-инструментальные средства разработки (1) Спецификацие (1)
Статьи по применению (1) Типы корпусов (3)
Модели - Симуляция (4)  
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
NTD4860N-1G Last Shipments 
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 25V 65A 7.5 mOhm Single N-Channel DPAK IPAK-4 369D 1 Tube 75  
NTD4860N-35G Last Shipments 
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 25V 65A 7.5 mOhm Single N-Channel DPAK IPAK-3 369AD 1 Tube 75  
NTD4860NT4G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 25V 65A 7.5 mOhm Single N-Channel DPAK DPAK-3 369AA 1 Tape and Reel 2500 $0.2867
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : Contact Factory
Market Leadtime (weeks) : Contact Factory
Mouser   (2015-07-09) : <100
Market Leadtime (weeks) : 8 to 12
Avnet   (2015-07-09) : >1K
Mouser   (2015-07-09) : >1K
PandS   (2015-07-09) : >1K
Datasheet: Power MOSFET, 25 V, 65 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK
Rev. 2 (118kB)
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (6)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 25V 65A 7.5 mOhm Single N-Channel DPAK   N-Channel   Single   25   20   2.5   65   2     11.1   7.5       4.7   3.5   1308   342   169   DPAK-3 
Ранее просмотренные схемы
Очистить список

Новые микросхемы
 

NTP8G202N  Power GaN Cascode Transistor, 600 V, 290 mΩ Single N-Channel

  • Fast switching
  • Extremely low Qrr
  • High efficiencies

NDBA180N10B  NDPL180N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 180 A

  • Ultra low on-resistance, as low as 2.8 mΩ
  • Low gate charge of 95 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available