feedback
Rate this webpage

Need
Support?


NTD4969N: Power MOSFET 30V 41A 9 mOhm Single N-Channel DPAK

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Power MOSFET, 30 V, 41 A, Single N-Channel
Rev. 2 (82kB)
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (3)
Product Overview
Описание продукта
Power MOSFET, 30 V, 41 A, Single N Channel, DPAK/IPAK
Отличительные черты   Benefits
     
  • Optimized Qg and Rg
 
  • Improve Signal Quality and Minimize Switching Losses
  • Low Capacitance
 
  • Minimize Driver Loss
  • Low RDS(on)
 
  • Improve Efficiency
  • PbFree, Halogen Free/BFR Free
 
  • RoHS Compliant
Применения   End Products
  • High Side Synchronous DC-DC Converters
 
  • Desktop PC and Game Console
Технические информацие
Программно-инструментальные средства разработки (2) Спецификацие (1)
Статьи по применению (1) Типы корпусов (3)
Модели - Симуляция (4) Демонстрационные платы - справочники (9)
Информация по демонстрационной плате
Продукт Состояние Compliance Короткое описание Поступок
ONS321A5VGEVB Active
Pb-free
5 Vgs MOSFET Evaluation Board
ONS321B12VGEVB Active
Pb-free
12 Vgs MOSFET Evaluation Board
Avnet (2015-07-09) : 2
Avnet (2015-07-09) : 2
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
NTD4969N-1G Last Shipments
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 41A 9 mOhm Single N-Channel DPAK IPAK-4 369D 1 Tube 75  
NTD4969N-35G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 41A 9 mOhm Single N-Channel DPAK IPAK-3 369AD 1 Tube 75 $0.1867
NTD4969NT4G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 41A 9 mOhm Single N-Channel DPAK DPAK-3 369AA 1 Tape and Reel 2500 $0.1867
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : Contact Factory
Market Leadtime (weeks) : 2 to 4
Mouser   (2015-07-09) : >1K
Market Leadtime (weeks) : 4 to 8
Digikey   (2015-07-09) : >1K
Mouser   (2015-07-09) : >1K
Datasheet: Power MOSFET, 30 V, 41 A, Single N-Channel
Rev. 2 (82kB)
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (3)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 30V 41A 9 mOhm Single N-Channel DPAK   N-Channel   Single   30   20   2.5   41   26.3     19   9   9   16.5   4.8   8   837   347   180   IPAK-3 
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 30V 41A 9 mOhm Single N-Channel DPAK   N-Channel   Single   30   20   2.5   41   26.3     19   9   9   16.5   4.8   8   837   347   180   DPAK-3 
Ранее просмотренные схемы
Очистить список

Новые микросхемы
 

NDBA180N10B  NDPL180N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 180 A

  • Ultra low on-resistance, as low as 2.8 mΩ
  • Low gate charge of 95 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available

NTP8G202N  Power GaN Cascode Transistor, 600 V, 290 mΩ Single N-Channel

  • Fast switching
  • Extremely low Qrr
  • High efficiencies