feedback
Rate this webpage

Need
Support?


NTD5802N: Power MOSFET 40V 101A 4.4 mOhm Single N-Channel DPAK

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Power MOSFET, 40 V, Single N-Channel, 101 A DPAK
Rev. 7 (101kB)
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (4)
Product Overview
Описание продукта
Power MOSFET 40V 101A 4.4 mOhm Single N-Channel DPAK
Отличительные черты   Benefits
     
  • Low RDS(on)
 
  • Minimize Conduction Losses
  • Low Capacitance
 
  • Minimizes Driver Losses
  • Optimized Gate Charge
 
  • Minimizes Switching Losses
  • MSL 1/260C
   
  • AEC Q101 Qualified
   
  • 100% Avalanche Tested
   
  • PbFree Devices
   
  • DCDC Converters
   
  • Motor Driver
   
Применения
  • CPU Power Delivery
Технические информацие
Статьи по применению (1) Спецификацие (1)
Модели - Симуляция (4) Типы корпусов (1)
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
NTD5802NT4G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 40V 101A 4.4 mOhm Single N-Channel DPAK DPAK-3 369C 1 Tape and Reel 2500 $0.712
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : 4 to 8
Arrow   (Sat Jul 11 14:01:37 MST 2015) : 6850
Avnet   (2015-07-09) : >1K
Digikey   (2015-07-09) : >1K
Mouser   (2015-07-09) : >1K
PandS   (2015-07-09) : >1K
Datasheet: Power MOSFET, 40 V, Single N-Channel, 101 A DPAK
Rev. 7 (101kB)
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (4)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 40V 101A 4.4 mOhm Single N-Channel DPAK   N-Channel   Single   40   20   3.5   101   93.75     7.8   4.4     75   15   15   5300   850   550   DPAK-3 
Ранее просмотренные схемы
Очистить список

Новые микросхемы
 

NTP8G202N  Power GaN Cascode Transistor, 600 V, 290 mΩ Single N-Channel

  • Fast switching
  • Extremely low Qrr
  • High efficiencies

NDBA180N10B  NDPL180N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 180 A

  • Ultra low on-resistance, as low as 2.8 mΩ
  • Low gate charge of 95 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available