feedback
Rate this webpage

Need
Support?


NTD6414AN: Power MOSFET 100V 32A 37 mohm Single N-Channel DPAK

Overview
Specifications
Datasheet: N-Channel Power MOSFET 100 V, 32 A, 37 mΩ
Rev. 2 (102kB)
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (5)
Product Overview
Описание продукта
Single N-Channel 100 V Power MOSFET
Отличительные черты   Benefits
     
  • Low RDS(on)
 
  • Minimize conduction losses
  • High current capability
 
  • Robust load performance
  • 100% Avalanche tested
 
  • Voltage overstress safeguard
  • Pb-free, Halide-free
 
  • RoHS compliance
Применения
  • Motor Control
  • UPS Inverter
Технические информацие
Модели - Симуляция (3) Типы корпусов (2)
Спецификацие (1)  
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
NTD6414AN-1G Last Shipments
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 100V 32A 37 mohm Single N-Channel DPAK IPAK-4 369D NA Tube 75  
NTD6414ANT4G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 100V 32A 37 mohm Single N-Channel DPAK DPAK-3 369AA 1 Tape and Reel 2500 $0.5333
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : Contact Factory
Arrow   (Sat Jul 11 08:15:25 MST 2015) : 4950
Market Leadtime (weeks) : 13 to 16
Arrow   (Sat Jul 11 08:15:25 MST 2015) : 3098
Digikey   (2015-07-09) : >1K
Mouser   (2015-07-09) : <100
PandS   (2015-07-09) : >1K
Datasheet: N-Channel Power MOSFET 100 V, 32 A, 37 mΩ
Rev. 2 (102kB)
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (5)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 100V 32A 37 mohm Single N-Channel DPAK   N-Channel   Single   100   20   4   32   100       37     40   20   195   1450   230   95   DPAK-3 
Ранее просмотренные схемы
Очистить список

Новые микросхемы
 

NTP8G202N  Power GaN Cascode Transistor, 600 V, 290 mΩ Single N-Channel

  • Fast switching
  • Extremely low Qrr
  • High efficiencies

NDBA100N10B  NDPL100N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 100 A

  • Low on-resistance as low as 6.9 mΩ
  • Low gate charge of 35 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available