feedback
Rate this webpage

Need
Support?


NTGD4161P: Power MOSFET -30V -2.3A 160 mOhm Dual P-Channel TSOP6

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Power MOSFET -30 V, -2.3 A, Dual P-Channel, TSOP-6
Rev. 1 (67.0kB)
»Показать данные по надёжности
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (5)
Product Overview
Описание продукта
Power MOSFET -30 V, -2.3 A, Dual P-Channel, TSOP-6
Отличительные черты
 
  • Fast Switching Speed
  • Low Gate Charge
  • Low RDS(on)
  • Indpendently Connected Devices to Provide Design Flexibility
  • This is a Pb-Free Device
Применения
  • Load Switch
  • Battery Protection
  • Portable Devices Like PDAs, Cellular Phones and Hard Drives
Технические информацие
Модели - Симуляция (4) Типы корпусов (1)
Спецификацие (1)  
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
NTGD4161PT1G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET -30V -2.3A 160 mOhm Dual P-Channel TSOP6 TSOP-6 318G-02 1 Tape and Reel 3000 Contact Sales Office
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : Contact Factory
PandS   (2015-07-09) : >1K
Datasheet: Power MOSFET -30 V, -2.3 A, Dual P-Channel, TSOP-6
Rev. 1 (67.0kB)
»Показать данные по надёжности
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (5)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET -30V -2.3A 160 mOhm Dual P-Channel TSOP6   P-Channel   Dual   30   20   3   2.3   1.3       160     7.1     3   281   50   28   TSOP-6 
Ранее просмотренные схемы
Очистить список

Новые микросхемы
 

NDBA180N10B  NDPL180N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 180 A

  • Ultra low on-resistance, as low as 2.8 mΩ
  • Low gate charge of 95 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available

NDBA100N10B  NDPL100N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 100 A

  • Low on-resistance as low as 6.9 mΩ
  • Low gate charge of 35 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available