feedback
Rate this webpage

Need
Support?


NTGD4167C: Small Signal MOSFET 30V 2.6A 90 mOhm Complementary TSOP-6

Overview
Specifications
Datasheet: Complementary, 30V, +2.9/-2.2 A, TSOP-6 Dual
Rev. 1 (130.0kB)
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (5)
Product Overview
Описание продукта
Power MOSFET, Complementary, 30V, +2.9/-2.2 A, TSOP-6 Dual
Отличительные черты   Benefits
     
  • Small Size (3 x 3 mm) Dual TSOP-6 Package
 
  • Industry STD Footprint
  • Reduced Gate Charge
 
  • Improved Switching Response
  • Idependently Connected Devices
 
  • Provides Design Flexibility
Применения   End Products
  • DC-DC Conversion Circuits
  • Load/Power Switching with Level Shift
 
  • Cell Phone, PMP, DSC, GPS, Portable Video Games, PC, Printers, Perepherals,DTV, Set Top Box, and other computing and digital consumer products
Технические информацие
Модели - Симуляция (4) Типы корпусов (1)
Спецификацие (1)  
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
NTGD4167CT1G Active
Pb-free
Halide free
Small Signal MOSFET 30V 2.6A 90 mOhm Complementary TSOP-6 TSOP-6 318G-02 1 Tape and Reel 3000 $0.1139
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : 4 to 8
Digikey   (2015-07-09) : >10K
Mouser   (2015-07-09) : >10K
PandS   (2015-07-09) : >10K
Datasheet: Complementary, 30V, +2.9/-2.2 A, TSOP-6 Dual
Rev. 1 (130.0kB)
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (5)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Small Signal MOSFET 30V 2.6A 90 mOhm Complementary TSOP-6   Complementary   Dual   30   12   1.5   2.9   0.9   125   90     3.7     0.8   3   295   48   27   TSOP-6 
Ранее просмотренные схемы
Очистить список

Новые микросхемы
 

NDBA100N10B  NDPL100N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 100 A

  • Low on-resistance as low as 6.9 mΩ
  • Low gate charge of 35 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available

NTP8G202N  Power GaN Cascode Transistor, 600 V, 290 mΩ Single N-Channel

  • Fast switching
  • Extremely low Qrr
  • High efficiencies