feedback
Rate this webpage

Need
Support?


NTGS3130N: Power MOSFET 20V 5.6A 24 mOhm Single N-Channel TSOP6

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Power MOSFET 20 V, 5.6 A, Single N-Channel, TSOP-6
Rev. 1 (114kB)
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (7)
Product Overview
Описание продукта
Power MOSFET 20 V, 5.6 A, Single N-Channel, TSOP-6
Отличительные черты
 
  • Leading Edge Trench Technology for Low On Resistance
  • Low Gate Charge for Fast Switching
  • Small Size (3 x 2.75 mm) TSOP-6 Package
  • This is a Pb-Free Device
Применения
  • DC-DC Converters
  • Lithium Ion Battery Applications
  • Load/Power Switching
Технические информацие
Модели - Симуляция (4) Типы корпусов (1)
Спецификацие (1)  
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
NTGS3130NT1G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 20V 5.6A 24 mOhm Single N-Channel TSOP6 TSOP-6 318G-02 1 Tape and Reel 3000 $0.2933
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : 2 to 4
Chip1Stop   (2015-07-09) : >1K
PandS   (2015-07-09) : <1K
Datasheet: Power MOSFET 20 V, 5.6 A, Single N-Channel, TSOP-6
Rev. 1 (114kB)
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (7)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 20V 5.6A 24 mOhm Single N-Channel TSOP6   N-Channel   Single   20   8   1.4   5.6   1.1   32   24     13.2     4.2   8.8   935 
 169 
 198 
 104 
 110 
 TSOP-6 
Ранее просмотренные схемы
Очистить список

Новые микросхемы
 

NTP8G202N  Power GaN Cascode Transistor, 600 V, 290 mΩ Single N-Channel

  • Fast switching
  • Extremely low Qrr
  • High efficiencies

NDBA180N10B  NDPL180N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 180 A

  • Ultra low on-resistance, as low as 2.8 mΩ
  • Low gate charge of 95 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available