feedback
Rate this webpage

Need
Support?


NTHC5513: Power MOSFET 20V 3.9A 80 mOhm Complementary ChipFET

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Power MOSFET 20 V, +3.9 A/-3.0 A, Complentary ChipFET™
Rev. 4 (80.0kB)
»Показать данные по надёжности
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (4)
Product Overview
Описание продукта
This complementary (N and P Channel) device was designed with a small footprint package and ON Semiconductor's leading low RDS(on) technology for increased circuit efficiency. The performance is ideally suited for portable or handheld applications.
Отличительные черты
 
  • Small Size, 40% Smaller than TSOP-6 Package
  • Leadless SMD Package Featuring Complementary Pair
  • ChipFET™ Package Provides Great Thermal Characteristics Similar to Larger Packages
  • Low RDS(on) in a ChipFET™ Package for High Efficiency Performance
  • Low Profile (< 1.1 mm) Allows Placement in Extremely Thin Environments such as Portable Electronics
  • Complentary N Channel and P Channel MOSFET
Применения
  • Load Switch Applications Requiring Level Shift
  • DC-DC Conversion Circuits
  • Drives Small Brushless DC Motors
  • Designed for Power Management Applications in Portable and Battery Power Products
Технические информацие
Статьи по применению (1) Спецификацие (1)
Модели - Симуляция (4) Типы корпусов (1)
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
NTHC5513T1G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 20V 3.9A 80 mOhm Complementary ChipFET ChipFET-8 1206A-03 1 Tape and Reel 3000 $0.1733
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : 4 to 8
Avnet   (2015-07-09) : >1K
Digikey   (2015-07-09) : >1K
Mouser   (2015-07-09) : >1K
PandS   (2015-07-09) : >1K
Datasheet: Power MOSFET 20 V, +3.9 A/-3.0 A, Complentary ChipFET™
Rev. 4 (80.0kB)
»Показать данные по надёжности
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (4)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 20V 3.9A 80 mOhm Complementary ChipFET   Complementary   Dual   20   12   1.2   3.9   2.1   115   80     4     0.7   6   180   80   25   ChipFET-8 
Ранее просмотренные схемы
Очистить список

Новые микросхемы
 

NDBA180N10B  NDPL180N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 180 A

  • Ultra low on-resistance, as low as 2.8 mΩ
  • Low gate charge of 95 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available

NTP8G206N  Power GaN Cascode Transistor, 600 V, 150 mΩ Single N-Channel

  • Fast switching
  • Extremely low Qrr
  • High efficiencies