feedback
Rate this webpage

Need
Support?


NTHD3100C: Power MOSFET 20V 3.9A 80 mOhm Complementary ChipFET

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Power MOSFET Complementary, 20 V, +3.9 A/-4.4 A ChipFET™
Rev. 3 (148.0kB)
»Показать данные по надёжности
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (8)
Product Overview
Описание продукта
Power MOSFET Complementary, 20 V, +3.9 A/-4.4 A ChipFET™
Отличительные черты
 
  • Complementary N-Channel and P-Channel MOSFET
  • Small Size, 40% Smaller then TSOP-6 Package
  • Leadless SMD Package Provides Great Thermal Charcteristics
  • Trench P-Channel for Low On Resistance
  • Low Gate Charge N-Channel for Test Switching
  • Pb-Free Packages are Available
Применения
  • DC-toDC Conversion Circuits
  • Load Switch Applications Requiring Level Shift
  • Drive Small Brushless DC Motors
  • Ideal for Power Mangement Applications in Portable, Battery Powered Products
Технические информацие
Статьи по применению (1) Спецификацие (1)
Модели - Симуляция (8) Типы корпусов (1)
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
NTHD3100CT1G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 20V 3.9A 80 mOhm Complementary ChipFET ChipFET-8 1206A-03 1 Tape and Reel 3000 $0.2067
NTHD3100CT1 Obsolete
Power MOSFET 20V 3.9A 80 mOhm Complementary ChipFET ChipFET-8 1206A-03 1 Tape and Reel 3000  
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : 4 to 8
Avnet   (2015-07-09) : >1K
Digikey   (2015-07-09) : >10K
Mouser   (2015-07-09) : >10K
Market Leadtime (weeks) : Contact Factory
Datasheet: Power MOSFET Complementary, 20 V, +3.9 A/-4.4 A ChipFET™
Rev. 3 (148.0kB)
»Показать данные по надёжности
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (8)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 20V 3.9A 80 mOhm Complementary ChipFET   Complementary   Dual   20   12   1.2   3.9   3.1   115   80     2.3     0.7   6   165   80   25   ChipFET-8 
Ранее просмотренные схемы
Очистить список

Новые микросхемы
 

NTP8G202N  Power GaN Cascode Transistor, 600 V, 290 mΩ Single N-Channel

  • Fast switching
  • Extremely low Qrr
  • High efficiencies

NTP8G206N  Power GaN Cascode Transistor, 600 V, 150 mΩ Single N-Channel

  • Fast switching
  • Extremely low Qrr
  • High efficiencies