feedback
Rate this webpage

Need
Support?


NTHD3101F: Power MOSFET -20V -4.4A 80 mOhm Dual P-Channel ChipFET FETky

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Power MOSFET and Schottky Diode -20 V, FETKY®, P-Channel, -4.4A, w/ 4.1 A Schottky Barrier Diode, ChipFET¿
Rev. 4 (116.0kB)
»Показать данные по надёжности
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (7)
Product Overview
Описание продукта
Power MOSFET -20V -4.4A 80 mOhm Dual P-Channel ChipFET FETky
Отличительные черты
 
  • Leadless SMD Package Featuring a MOSFET and Schottky Diode
  • 40% Smaller than TSOP-6 Package
  • Leadless SMD Package Provides Great Thermal Characteristics
  • Independent Pinout to each Device to ease Circuit Design
  • Trench P-Channel for Low On Resistance
  • Ulta Low VF Schottky
  • Pb-Free Package are Available
Применения
  • Li-Ion Battery Charging
  • High Side DC-DC Conversion Circuits
  • High Side Drive for Small Brushless DC Motors
  • Power Management in Portable, Battery Powered Products
Технические информацие
Статьи по применению (3) Спецификацие (1)
Модели - Симуляция (4) Типы корпусов (1)
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
NTHD3101FT1G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET -20V -4.4A 80 mOhm Dual P-Channel ChipFET FETky ChipFET-8 1206A-03 1 Tape and Reel 3000 $0.1733
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : 2 to 4
Avnet   (2015-07-09) : >1K
Digikey   (2015-07-09) : >1K
Mouser   (2015-07-09) : >1K
PandS   (2015-07-09) : >1K
Datasheet: Power MOSFET and Schottky Diode -20 V, FETKY®, P-Channel, -4.4A, w/ 4.1 A Schottky Barrier Diode, ChipFET¿
Rev. 4 (116.0kB)
»Показать данные по надёжности
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (7)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET -20V -4.4A 80 mOhm Dual P-Channel ChipFET FETky   P-Channel   with Schottky Diode   20   8   1.5   4.4   2.1   110   80     7.4     2.5   6.5   680   100   70   ChipFET-8 
Ранее просмотренные схемы
Очистить список

Новые микросхемы
 

NTP8G202N  Power GaN Cascode Transistor, 600 V, 290 mΩ Single N-Channel

  • Fast switching
  • Extremely low Qrr
  • High efficiencies

NTP8G206N  Power GaN Cascode Transistor, 600 V, 150 mΩ Single N-Channel

  • Fast switching
  • Extremely low Qrr
  • High efficiencies