feedback
Rate this webpage

Need
Support?


NTHD3102C: Power MOSFET 20V 5.5A 45 mOhm Complementary ChipFET

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Power MOSFET Complementary, 20 V +5.5 A/-4.2 A, ChipFET¿
Rev. 2 (95.0kB)
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (7)
Product Overview
Описание продукта
Power MOSFET Complementary, 20 V +5.5 A/-4.2 A, ChipFET™
Отличительные черты
 
  • Complementary N-Channel and P-Channel MOSFET
  • Small Size, 40% Smaller than a TSOP-6 Package
  • Leadless, SMD Package provides Great Thermal Characteristics
  • Leading Trench Technology for Low On Resistance
  • Reduced Gate Charge to Improve Switching Response
  • Pb-Free Package is Available
Применения
  • DC-DC Conversion Circuits
  • Load/Power Switching
  • Single or Dual Cell Li-Ion Battery Supplied Devices
  • Ideal for Power Management Applications in Portable, Battery Powered Products
Технические информацие
Статьи по применению (1) Спецификацие (1)
Модели - Симуляция (4) Типы корпусов (1)
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
NTHD3102CT1G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 20V 5.5A 45 mOhm Complementary ChipFET ChipFET-8 1206A-03 1 Tape and Reel 3000 $0.22
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : 2 to 4
Avnet   (2015-07-09) : <1K
Digikey   (2015-07-09) : >10K
Mouser   (2015-07-09) : >1K
PandS   (2015-07-09) : >1K
Datasheet: Power MOSFET Complementary, 20 V +5.5 A/-4.2 A, ChipFET¿
Rev. 2 (95.0kB)
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (7)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 20V 5.5A 45 mOhm Complementary ChipFET   Complementary   Dual   20   8   1.2   5.5   2.1   50   45     7.9     1.56   7   510   100   50   ChipFET-8 
Ранее просмотренные схемы
Очистить список

Новые микросхемы
 

NTP8G206N  Power GaN Cascode Transistor, 600 V, 150 mΩ Single N-Channel

  • Fast switching
  • Extremely low Qrr
  • High efficiencies

NDBA100N10B  NDPL100N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 100 A

  • Low on-resistance as low as 6.9 mΩ
  • Low gate charge of 35 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available