feedback
Rate this webpage

Need
Support?


NTHD4502N: Power MOSFET 30V 3.9A 85 mOhm Dual N-Channel ChipFET

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Power MOSFET 30 V, 3.9 A, Dual N-Channel, ChipFET¿
Rev. 6 (105.0kB)
»Показать данные по надёжности
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (4)
Product Overview
Описание продукта
This device is optimized for fast low side switching applications. It features a technology that provides a balance between low gate charge and low RDS(on)
Отличительные черты
 
  • Planar Technology Device Offers Low RDS(on) and Fast Switching Speed
  • Leadless ChipFET™ Package has 40% Smaller Footprint than TSOP-6. Ideal Device Applications Where Board Space is at a Premium.
  • ChipFET™ Package Exhibits Excellent Thermal Capabilities. Ideal for Applications Where Heat Transfer is Required.
  • Pb-Free Package Option for Green Manufacturing.
  • Pb-Free Package is Available
Применения
  • DC-DC Buck or Boost Converters
  • Low Side Switching
  • Optimized for Battery and Low Side Switching Applications in Computing and Portable Equipment
Технические информацие
Статьи по применению (1) Спецификацие (1)
Модели - Симуляция (4) Типы корпусов (1)
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
NTHD4502NT1G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 3.9A 85 mOhm Dual N-Channel ChipFET ChipFET-8 1206A-03 1 Tape and Reel 3000 $0.2533
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : 2 to 4
Avnet   (2015-07-09) : >1K
Digikey   (2015-07-09) : >1K
Mouser   (2015-07-09) : >1K
PandS   (2015-07-09) : >1K
Datasheet: Power MOSFET 30 V, 3.9 A, Dual N-Channel, ChipFET¿
Rev. 6 (105.0kB)
»Показать данные по надёжности
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (4)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 30V 3.9A 85 mOhm Dual N-Channel ChipFET   N-Channel   Dual   30   20   3   3.9   2.1     140   85   1.9   3.6   0.7   4   140   53   16   ChipFET-8 
Ранее просмотренные схемы
Очистить список

Новые микросхемы
 

NTP8G206N  Power GaN Cascode Transistor, 600 V, 150 mΩ Single N-Channel

  • Fast switching
  • Extremely low Qrr
  • High efficiencies

NTP8G202N  Power GaN Cascode Transistor, 600 V, 290 mΩ Single N-Channel

  • Fast switching
  • Extremely low Qrr
  • High efficiencies