feedback
Rate this webpage

Need
Support?


NTHD4P02: Power MOSFET -20V -3A 155 mOhm Dual P-Channel ChipFET FETky

Overview
Specifications
Datasheet: Power MOSFET and Schottky Diode -20 V, -3.0 A, Single P-Channel with 3.0 A Schottky Barrier Diode, ChipFET™
Rev. 7 (83.0kB)
»Показать данные по надёжности
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (7)
Product Overview
Описание продукта
Power MOSFET -20V -3A 155 mOhm Dual P-Channel ChipFET FETky
Отличительные черты
 
  • Leadless SMD package featuring a MOSFET and Schottky Diode
  • 40% smaller than TSOP-6 package with similar thermal characteristics
  • Independent pinout to each device to ease circuit design
  • Ultra low VF Schottky
  • Pb-Free Package is Available
Применения
  • Li-Ion Battery Charging
  • High side DC-DC Conversion circuits
  • High side drive for small brushless DC motors
  • Power management in portable, battery powered products
Технические информацие
Статьи по применению (2) Спецификацие (1)
Модели - Симуляция (4) Типы корпусов (1)
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
NTHD4P02FT1G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET -20V -3A 155 mOhm Dual P-Channel ChipFET FETky ChipFET-8 1206A-03 1 Tape and Reel 3000 $0.16
NTHD4P02FT1 Obsolete
Power MOSFET -20V -3A 155 mOhm Dual P-Channel ChipFET FETky ChipFET-8 1206A-03 1 Tape and Reel 3000  
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : 2 to 4
Mouser   (2015-07-09) : >1K
PandS   (2015-07-09) : >1K
Market Leadtime (weeks) : Contact Factory
Datasheet: Power MOSFET and Schottky Diode -20 V, -3.0 A, Single P-Channel with 3.0 A Schottky Barrier Diode, ChipFET™
Rev. 7 (83.0kB)
»Показать данные по надёжности
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (7)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET -20V -3A 155 mOhm Dual P-Channel ChipFET FETky   P-Channel   with Schottky Diode   20   12   1.2   3   2.1   240   155     6     0.9   15   185   95   30   ChipFET-8 
Ранее просмотренные схемы
Очистить список

Новые микросхемы
 

NTP8G206N  Power GaN Cascode Transistor, 600 V, 150 mΩ Single N-Channel

  • Fast switching
  • Extremely low Qrr
  • High efficiencies

NDBA100N10B  NDPL100N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 100 A

  • Low on-resistance as low as 6.9 mΩ
  • Low gate charge of 35 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available