feedback
Rate this webpage

Need
Support?


NTHS5441T1: Power MOSFET -20V -5.3A 60 mOhm Single P-Channel ChipFET

Overview
Specifications
Datasheet: Power MOSFET -20 V, -5.3 A, Single P-Channel ChipFET™
Rev. 13 (66.0kB)
»Показать данные по надёжности
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (10)
Product Overview
Описание продукта
Power MOSFET -20 V, -5.3 A, Single P-Channel ChipFET™
Отличительные черты
 
  • Low RDS(on)
  • Higher Efficiency Extending Battery Life
  • Logic Level Gate Drive
  • Miniature ChipFET Surface Mount Package
Применения
  • Power Management in Portable and Battery-Powered Products; i.e., Cellular and Cordless Telephones and PCMCIA Cards
Технические информацие
Статьи по применению (2) Спецификацие (1)
Модели - Симуляция (4) Типы корпусов (1)
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
NTHS5441T1G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET -20V -5.3A 60 mOhm Single P-Channel ChipFET ChipFET-8 1206A-03 1 Tape and Reel 3000 $0.18
NTHS5441T1 Obsolete 
Power MOSFET -20V -5.3A 60 mOhm Single P-Channel ChipFET ChipFET-8 1206A-03 1 Tape and Reel 3000  
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : 8 to 12
Avnet   (2015-07-09) : >1K
Mouser   (2015-07-09) : >1K
PandS   (2015-07-09) : >1K
Market Leadtime (weeks) : Contact Factory
Datasheet: Power MOSFET -20 V, -5.3 A, Single P-Channel ChipFET™
Rev. 13 (66.0kB)
»Показать данные по надёжности
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (10)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET -20V -5.3A 60 mOhm Single P-Channel ChipFET   P-Channel   Single   20   12   1.2   5.3   2.5   83         9.7   3.6     710   400   140   ChipFET-8 
Ранее просмотренные схемы
Очистить список

Новые микросхемы
 

NTP8G206N  Power GaN Cascode Transistor, 600 V, 150 mΩ Single N-Channel

  • Fast switching
  • Extremely low Qrr
  • High efficiencies

NDBA100N10B  NDPL100N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 100 A

  • Low on-resistance as low as 6.9 mΩ
  • Low gate charge of 35 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available