feedback
Rate this webpage

Need
Support?


NTHS5443: Power MOSFET -20V -4.9A 65 mOhm Single P-Channel ChipFET

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Power MOSFET -20V, -4.9 A , Single P-Channel ChipFET™
Rev. 6 (68.0kB)
»Показать данные по надёжности
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (4)
Product Overview
Описание продукта
Power MOSFET -20V -4.9A 65 mOhm Single P-Channel ChipFET
Отличительные черты
 
  • Low RDS(on) for Higher Efficiency
  • Logic Level Gate Drive
  • Miniature ChipFET Surface Mount Package Saves Board Space
Применения
  • Power Management in Portable and Battery-Powered Products; i.e., Cellular and Cordless Telephones and PCMCIA Cards
Технические информацие
Статьи по применению (2) Спецификацие (1)
Модели - Симуляция (4) Типы корпусов (1)
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
NTHS5443T1G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET -20V -4.9A 65 mOhm Single P-Channel ChipFET ChipFET-8 1206A-03 1 Tape and Reel 3000 Contact Sales Office
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : 2 to 4
Mouser   (2015-07-09) : >1K
PandS   (2015-07-09) : >1K
Datasheet: Power MOSFET -20V, -4.9 A , Single P-Channel ChipFET™
Rev. 6 (68.0kB)
»Показать данные по надёжности
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (4)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET -20V -4.9A 65 mOhm Single P-Channel ChipFET   P-Channel   Single   20   12   0.6   4.9   2.5   110   65     7.5     2.2           ChipFET-8 
Ранее просмотренные схемы
Очистить список

Новые микросхемы
 

NDBA100N10B  NDPL100N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 100 A

  • Low on-resistance as low as 6.9 mΩ
  • Low gate charge of 35 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available

NDBA180N10B  NDPL180N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 180 A

  • Ultra low on-resistance, as low as 2.8 mΩ
  • Low gate charge of 95 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available