feedback
Rate this webpage

Need
Support?


NTJD4105C: Small Signal MOSFET 20V 775mA 220 mOhm Complementary SC−88

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Small Signal MOSFET, 20 V / -8.0 V Complementary, +0.66 A/-0.57 A, SC-88
Rev. 2 (149.0kB)
»Показать данные по надёжности
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (10)
Product Overview
Описание продукта
This complementary dual device was designed with a small package (2 x 2 mm) and low RDS(on) MOSFETs for minimum footprint and increased circuit efficiency. The low RDS(on) performance is particularly suited for single or dual cell Li-Ion battery supplied devices such as cell phones, media players, digital cameras, and PDAs.
Отличительные черты
 
  • Complementary N and P Channel Device
  • Leading -8.0 V Trench for Low RDS(on) Performance
  • ESD Protected Gate-ESD Rating: Class 1
  • SC-88 Package for Small Footprint (2x2mm)
  • Pb-Free Packages are Available
Применения
  • DC-DC Conversion
  • Load/Power Switching
  • Single or Dual Cell Li-Ion Battery Supplied Devices
  • Cell Phones, MP3s, Digital Cameras, and PDAs
Технические информацие
Модели - Симуляция (4) Типы корпусов (1)
Спецификацие (1)  
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
NTJD4105CT1G Active
Pb-free
Halide free
Small Signal MOSFET 20V 775mA 220 mOhm Complementary SC−88 SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6 419B-02 1 Tape and Reel 3000 $0.0867
NTJD4105CT2G Active
Pb-free
Halide free
Small Signal MOSFET 20V 775mA 220 mOhm Complementary SC−88 SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6 419B-02 1 Tape and Reel 3000 $0.0867
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : 8 to 12
Avnet   (2015-07-09) : >1K
Digikey   (2015-07-09) : >10K
FutureElectronics   (2015-07-09) : >50K
Mouser   (2015-07-09) : >1K
PandS   (2015-07-09) : >1K
Market Leadtime (weeks) : 4 to 8
Mouser   (2015-07-09) : >1K
Datasheet: Small Signal MOSFET, 20 V / -8.0 V Complementary, +0.66 A/-0.57 A, SC-88
Rev. 2 (149.0kB)
»Показать данные по надёжности
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (10)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Small Signal MOSFET 20V 775mA 220 mOhm Complementary SC−88   Complementary   Dual   20   12   1.5   0.63   0.27   445   375     1.3     0.4     33   13   2.8   SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6 
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Small Signal MOSFET 20V 775mA 220 mOhm Complementary SC−88   Complementary   Dual   20   12   1.5   0.63   0.27   445   375     1.3     0.4     33   13   2.8   SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6 
Ранее просмотренные схемы
Очистить список

Новые микросхемы
 

NTP8G202N  Power GaN Cascode Transistor, 600 V, 290 mΩ Single N-Channel

  • Fast switching
  • Extremely low Qrr
  • High efficiencies

NTP8G206N  Power GaN Cascode Transistor, 600 V, 150 mΩ Single N-Channel

  • Fast switching
  • Extremely low Qrr
  • High efficiencies