feedback
Rate this webpage

Need
Support?


NTJD4152P: Small Signal MOSFET -20V -0.88A 260 mOhm Dual P-Channel SC88 with ESD Protection

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Small Signal MOSFET, 20 V, 0.88 A, Dual P-Channel, with ESD Protection
Rev. 6 (70kB)
»Показать данные по надёжности
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (6)
Product Overview
Описание продукта
Small Signal MOSFET -20V -0.88A 260 mOhm Dual P-Channel SC88 with ESD Protection
Отличительные черты
 
  • Leading Trench Technology for Low RDS(on) Performance
  • Small Footprint Package (SC70-6 Equivalent)
  • ESD Protected Gate
  • Pb-Free Package is Available
Применения
  • Load/Power Management
  • Charging Circuits
  • Load Switching
  • Cell Phones, Computing, Digital Cameras, MP3s, and PDAs
Технические информацие
Модели - Симуляция (4) Типы корпусов (1)
Спецификацие (1)  
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
NTJD4152PT1G Active
Pb-free
Halide free
Small Signal MOSFET -20V -0.88A 260 mOhm Dual P-Channel SC88 with ESD Protection SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6 419B-02 1 Tape and Reel 3000 $0.0907
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : 8 to 12
Avnet   (2015-07-09) : >1K
Digikey   (2015-07-09) : >50K
FutureElectronics   (2015-07-09) : >10K
Mouser   (2015-07-09) : >10K
PandS   (2015-07-09) : <1K
Datasheet: Small Signal MOSFET, 20 V, 0.88 A, Dual P-Channel, with ESD Protection
Rev. 6 (70kB)
»Показать данные по надёжности
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (6)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Small Signal MOSFET -20V -0.88A 260 mOhm Dual P-Channel SC88 with ESD Protection   P-Channel   Dual   20   12   1.2   0.88   0.272   500   260     2.2     0.65     155   25   18   SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6 
Ранее просмотренные схемы
Очистить список

Новые микросхемы
 

NTP8G202N  Power GaN Cascode Transistor, 600 V, 290 mΩ Single N-Channel

  • Fast switching
  • Extremely low Qrr
  • High efficiencies

NDBA100N10B  NDPL100N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 100 A

  • Low on-resistance as low as 6.9 mΩ
  • Low gate charge of 35 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available