feedback
Rate this webpage

Need
Support?


NTJS3151P: Small Signal MOSFET -12V -3.3A 60 mOhm Single P-Channel SC-88 with ESD Protection

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Trench Power MOSFET 12 V, 3.3A, Single P-Channel ESD Protected SC-88
Rev. 3 (69kB)
»Показать данные по надёжности
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (12)
Product Overview
Описание продукта
Small Signal MOSFET -12V -3.3A 60 mOhm Single P-Channel SC-88 with ESD Protection
Отличительные черты
 
  • Leading Trench Technology for Low RDS(on) Extending Battery Life
  • SC-88 Small Outline (2x2 mm, SC70-6 Equivalent)
  • Gate Diodes for ESD Protection
  • Pb-Free Packages are Available
Применения
  • High Side Load Switch
  • Cell Phones, Computing, Digital Cameras, MP3s and PDAs
Технические информацие
Статьи по применению (1) Спецификацие (1)
Модели - Симуляция (4) Типы корпусов (1)
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
NTJS3151PT1G Active
Pb-free
Halide free
Small Signal MOSFET -12V -3.3A 60 mOhm Single P-Channel SC-88 with ESD Protection SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6 419B-02 1 Tape and Reel 3000 $0.08
NTJS3151PT2G Active
Pb-free
Halide free
Small Signal MOSFET -12V -3.3A 60 mOhm Single P-Channel SC-88 with ESD Protection SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6 419B-02 1 Tape and Reel 3000 $0.08
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : 8 to 12
Avnet   (2015-07-09) : >1K
Chip1Stop   (2015-07-09) : >1K
Digikey   (2015-07-09) : >10K
FutureElectronics   (2015-07-09) : >10K
Mouser   (2015-07-09) : >1K
PandS   (2015-07-09) : >1K
Market Leadtime (weeks) : 8 to 12
Datasheet: Trench Power MOSFET 12 V, 3.3A, Single P-Channel ESD Protected SC-88
Rev. 3 (69kB)
»Показать данные по надёжности
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (12)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Small Signal MOSFET -12V -3.3A 60 mOhm Single P-Channel SC-88 with ESD Protection   P-Channel   Single   12   12     2.7   0.625   90   60     8.6     2.2     850   170   110   SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6 
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Small Signal MOSFET -12V -3.3A 60 mOhm Single P-Channel SC-88 with ESD Protection   P-Channel   Single   12   12     2.7   0.625   90   60     8.6     2.2     850   170   110   SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6 
Ранее просмотренные схемы
Очистить список

Новые микросхемы
 

NTP8G202N  Power GaN Cascode Transistor, 600 V, 290 mΩ Single N-Channel

  • Fast switching
  • Extremely low Qrr
  • High efficiencies

NDBA100N10B  NDPL100N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 100 A

  • Low on-resistance as low as 6.9 mΩ
  • Low gate charge of 35 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available