feedback
Rate this webpage

Need
Support?


NTJS3157N: Power MOSFET 20V 4.0A 60 mOhm Single N-Channel SC-88

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Trench Power MOSFET, 20 V, 4.0 A, Single N-Channel
Rev. 3 (105.0kB)
»Показать данные по надёжности
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (10)
Product Overview
Описание продукта
Trench Power MOSFET 20 V, 4.0 A, Single N-Channel, SC-88
Отличительные черты
 
  • Leading Trench Technology for Low RDS(on) Extending Battery Life
  • Fast switching for increased circuit efficiency
  • SC-88 Small Outline (2x2 mm) for Maximum Circuit Board Utilization, Same as SC-70-6
  • Pb-Free Packages are Available
Применения
  • DC-DC Conversion
  • Low Side Load Switch
  • Cell Phones, Computing, Digital Cameras, MP3s and PDAs
Технические информацие
Статьи по применению (1) Спецификацие (1)
Модели - Симуляция (4) Типы корпусов (1)
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
NTJS3157NT1G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 20V 4.0A 60 mOhm Single N-Channel SC-88 SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6 419B-02 1 Tape and Reel 3000 $0.0829
NTJS3157NT2G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 20V 4.0A 60 mOhm Single N-Channel SC-88 SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6 419B-02 1 Tape and Reel 3000 $0.0829
NTJS3157NT1 Obsolete 
Power MOSFET 20V 4.0A 60 mOhm Single N-Channel SC-88 SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6 419B-02 1 Tape and Reel 3000  
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : 8 to 12
Avnet   (2015-07-09) : >1K
Digikey   (2015-07-09) : >10K
FutureElectronics   (2015-07-09) : >10K
Mouser   (2015-07-09) : >10K
PandS   (2015-07-09) : >1K
Market Leadtime (weeks) : 8 to 12
Market Leadtime (weeks) : Contact Factory
Datasheet: Trench Power MOSFET, 20 V, 4.0 A, Single N-Channel
Rev. 3 (105.0kB)
»Показать данные по надёжности
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (10)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 20V 4.0A 60 mOhm Single N-Channel SC-88   N-Channel   Single   20   8   1   4   1   70   60     6.9     1.8   5   500   75   60   SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6 
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 20V 4.0A 60 mOhm Single N-Channel SC-88   N-Channel   Single   20   8   1   4   1   70   60     6.9     1.8   5   500   75   60   SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6 
Ранее просмотренные схемы
Очистить список

Новые микросхемы
 

NTP8G206N  Power GaN Cascode Transistor, 600 V, 150 mΩ Single N-Channel

  • Fast switching
  • Extremely low Qrr
  • High efficiencies

NTP8G202N  Power GaN Cascode Transistor, 600 V, 290 mΩ Single N-Channel

  • Fast switching
  • Extremely low Qrr
  • High efficiencies