feedback
Rate this webpage

Need
Support?


NTLGF3402P: Power MOSFET -20V -3.9A 140 mOhm Single P-Channel WDFN6 FETky

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Power MOSFET and Schottky Diode, -20 V, -3.9 A, P-Channel
Rev. 1 (86.0kB)
»Показать данные по надёжности
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (5)
Product Overview
Описание продукта
Power MOSFET -20V -3.9A 140 mOhm Single P-Channel WDFN6 FETky
Отличительные черты
 
  • Flat Lead 6 Terminal Package 3x3x1
  • Enhanced Thermal Characteristics
  • Low VF and Low Leakage Schottky Diode
  • Reduced Gate Charge to Improve Switching Response
  • Pb-Free Package is available
Применения
  • Buck Converter
  • High Side DC-DC Conversion Circuits
  • Power Management in Portable, HDD and Computing
Технические информацие
Спецификацие (1) Типы корпусов (1)
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
NTLGF3402PT1G Last Shipments 
Pb-free
Halide free
Power MOSFET -20V -3.9A 140 mOhm Single P-Channel WDFN6 FETky DFN-6 506AH 1 Tape and Reel 3000  
NTLGF3402PT2G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET -20V -3.9A 140 mOhm Single P-Channel WDFN6 FETky DFN-6 506AH 1 Tape and Reel 3000 $0.4
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : Contact Factory
Market Leadtime (weeks) : 4 to 8
Datasheet: Power MOSFET and Schottky Diode, -20 V, -3.9 A, P-Channel
Rev. 1 (86.0kB)
»Показать данные по надёжности
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (5)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET -20V -3.9A 140 mOhm Single P-Channel WDFN6 FETky   P-Channel   with Schottky Diode   20   12   2   3.9   3   225   140     3.8     1.6   37   230   105   40   DFN-6 
Ранее просмотренные схемы
Очистить список

Новые микросхемы
 

NDBA180N10B  NDPL180N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 180 A

  • Ultra low on-resistance, as low as 2.8 mΩ
  • Low gate charge of 95 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available

NDBA100N10B  NDPL100N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 100 A

  • Low on-resistance as low as 6.9 mΩ
  • Low gate charge of 35 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available