feedback
Rate this webpage

Need
Support?


NTLJD3115P: Power MOSFET -20V -3.3A 100 mOhm Dual P-Channel WDFN6

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Power MOSFET -20 V, -4.1 A, µCool¿ Dual P-Channel, 2x2 mm WDFN Package
Rev. 6 (120.0kB)
»Показать данные по надёжности
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (9)
Product Overview
Описание продукта
Power MOSFET -20 V, -4.1 A, µCool™ Dual P-Channel, 2x2 mm WDFN Package
Отличительные черты
 
  • WDFN Package Provides Exposed Drain Pad for Excellent Thermal Conduction
  • 2x2 mm Footprint Same as SC-88
  • Lowest RDS(on) Solution in 2x2 mm Package
  • 1.8 V RDS(on) Rating for Operation at Low Voltage Gate Drive Logic Level
  • Bidirectional Current Flow with Common Source Configuration
  • This is a Pb-Free Device
Применения
  • Optimized for Battery and Load Management Applications in Portable Equipment
  • Li-Ion Battery Charging and Protection Circuits
  • High Side Load Switch
Технические информацие
Статьи по применению (2) Спецификацие (1)
Модели - Симуляция (4) Типы корпусов (1)
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
NTLJD3115PT1G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET -20V -3.3A 100 mOhm Dual P-Channel WDFN6 WDFN-6 506AN 1 Tape and Reel 3000 $0.2
NTLJD3115PTAG Last Shipments 
Pb-free
Halide free
Power MOSFET -20V -3.3A 100 mOhm Dual P-Channel WDFN6 WDFN-6 506AN 1 Tape and Reel 3000  
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : 4 to 8
Avnet   (2015-07-09) : >1K
Digikey   (2015-07-09) : >10K
Mouser   (2015-07-09) : <1K
PandS   (2015-07-09) : >1K
Market Leadtime (weeks) : Contact Factory
Datasheet: Power MOSFET -20 V, -4.1 A, µCool¿ Dual P-Channel, 2x2 mm WDFN Package
Rev. 6 (120.0kB)
»Показать данные по надёжности
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (9)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET -20V -3.3A 100 mOhm Dual P-Channel WDFN6   P-Channel   Dual   20   8   1   4.1   2.3   135   100     5.5     1.4   5   531   91   56   WDFN-6 
Ранее просмотренные схемы
Очистить список

Новые микросхемы
 

NTP8G202N  Power GaN Cascode Transistor, 600 V, 290 mΩ Single N-Channel

  • Fast switching
  • Extremely low Qrr
  • High efficiencies

NDBA180N10B  NDPL180N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 180 A

  • Ultra low on-resistance, as low as 2.8 mΩ
  • Low gate charge of 95 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available