feedback
Rate this webpage

Need
Support?


NTLJF3117P: Power MOSFET -20V -4.1A 100 mOhm Single P-Channel WDFN-6 FETky

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Power MOSFET and Schottky Diode, -20 V, -4.1 A, P-Channel
Rev. 2 (112.0kB)
»Показать данные по надёжности
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (9)
Product Overview
Описание продукта
Power MOSFET and Schottky Diode, -20 V, -4.1 A, P-Channel, with 2.0 A Schottky Barrier Diode, 2x2 mm, µCool™ Product Family
Отличительные черты
 
  • FETKY™ Configuration with MOSFET plus Low Vf Schottky Diode
  • µCool™ Package Provides Exposed Drain Pad for Excellent Thermal Conduction
  • 2x2 mm Footprint Same as SC-88 Package Design
  • Indepedent Pinout Provides Circuit Design Flexibility
  • Low Profile (< 0.8 mm) for Easy Fit in Thin Environment
  • High Current Schottky Diode: 2 A Current Rating
  • This is a Pb-Free Device
Применения   End Products
  • Optimized for Portable Applications like Cell Phones, Digital Cameras, Media Players, etc.
  • DC-DC Buck Circuit
  • Li-Ion Battery Applications
  • Color Display and Camera Flash Regulators
 
  • Media Players
Технические информацие
Статьи по применению (3) Спецификацие (1)
Модели - Симуляция (4) Типы корпусов (1)
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
NTLJF3117PT1G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET -20V -4.1A 100 mOhm Single P-Channel WDFN-6 FETky WDFN-6 506AN 1 Tape and Reel 3000 $0.1455
NTLJF3117PTAG Last Shipments 
Pb-free
Halide free
Power MOSFET -20V -4.1A 100 mOhm Single P-Channel WDFN-6 FETky WDFN-6 506AN 1 Tape and Reel 3000  
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : 4 to 8
Avnet   (2015-07-09) : >1K
Digikey   (2015-07-09) : >1K
Mouser   (2015-07-09) : >1K
PandS   (2015-07-09) : >1K
Market Leadtime (weeks) : Contact Factory
Datasheet: Power MOSFET and Schottky Diode, -20 V, -4.1 A, P-Channel
Rev. 2 (112.0kB)
»Показать данные по надёжности
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (9)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET -20V -4.1A 100 mOhm Single P-Channel WDFN-6 FETky   P-Channel   with Schottky Diode   20   8   1   4.1   2.3   135   100     5.5       5.7   531   91   56   WDFN-6 
Ранее просмотренные схемы
Очистить список

Новые микросхемы
 

NTP8G202N  Power GaN Cascode Transistor, 600 V, 290 mΩ Single N-Channel

  • Fast switching
  • Extremely low Qrr
  • High efficiencies

NDBA180N10B  NDPL180N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 180 A

  • Ultra low on-resistance, as low as 2.8 mΩ
  • Low gate charge of 95 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available