feedback
Rate this webpage

Need
Support?


NTLJF4156N: Power MOSFET 30V 4.6A 70 mOhm Single N-Channel WDFN-6 FETky

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Power MOSFET and Schottky Diode, 30 V, 4.6 A, N-Channel
Rev. 4 (99.0kB)
»Показать данные по надёжности
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (10)
Product Overview
Описание продукта
Power MOSFET and Schottky Diode 30 V, 4.0 A, µCool™ N-Channel, with 2.0 A Schottky Barrier Diode, 2x2 mm WDFN Package
Отличительные черты
 
  • WDFN Package Provides Exposed Drain Pad for Excellent Thermal Conduction
  • Co-Packaged MOSFET and Schottky For Easy Circuit Layout
  • RDS(on) Rated at Low VGS=1.5 V
  • Low Profile (< 0.8mm) for Easy Fit in Thin Environments
  • Low VF Schottky
  • This is a Pb-Free Device
Применения
  • DC-DC Converters
  • Li-Ion Battery Applications in Cell Phones, PDAs, Media Players
  • Color Display and Camera Flash Regulators
Технические информацие
Статьи по применению (3) Спецификацие (1)
Модели - Симуляция (4) Типы корпусов (1)
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
NTLJF4156NT1G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 4.6A 70 mOhm Single N-Channel WDFN-6 FETky WDFN-6 506AN 1 Tape and Reel 3000 $0.14
NTLJF4156NTAG Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 4.6A 70 mOhm Single N-Channel WDFN-6 FETky WDFN-6 506AN 1 Tape and Reel 3000 $0.14
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : 8 to 12
Avnet   (2015-07-09) : >1K
Digikey   (2015-07-09) : >10K
Mouser   (2015-07-09) : >1K
PandS   (2015-07-09) : >1K
Market Leadtime (weeks) : 2 to 4
Mouser   (2015-07-09) : <1K
Datasheet: Power MOSFET and Schottky Diode, 30 V, 4.6 A, N-Channel
Rev. 4 (99.0kB)
»Показать данные по надёжности
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (10)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 30V 4.6A 70 mOhm Single N-Channel WDFN-6 FETky   N-Channel   with Schottky Diode   30   8   1   4   2.3   90   70     5.4     1.24   5   427   51   32   WDFN-6 
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 30V 4.6A 70 mOhm Single N-Channel WDFN-6 FETky   N-Channel   with Schottky Diode   30   8   1   4   2.3   90   70     5.4     1.24   5   427   51   32   WDFN-6 
Ранее просмотренные схемы
Очистить список

Новые микросхемы
 

NDBA180N10B  NDPL180N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 180 A

  • Ultra low on-resistance, as low as 2.8 mΩ
  • Low gate charge of 95 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available

NTP8G202N  Power GaN Cascode Transistor, 600 V, 290 mΩ Single N-Channel

  • Fast switching
  • Extremely low Qrr
  • High efficiencies