feedback
Rate this webpage

Need
Support?


NTLJS2103P: Power MOSFET -12V -7.7A 40 mOhm Single P-Channel WDFN6

Overview
Specifications
Datasheet: NTLJS2103P
Rev. 3 (129.0kB)
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (7)
Product Overview
Описание продукта
-12 V, -7.7 A, µCool™ Single P-Channel, 2x2 mm, WDFN Package
Отличительные черты   Benefits
     
  • Lowest RDS(on) Solution in 2x2 mm Package
 
  • System Efficiency Improvement
  • WDFN Package Provides Exposed Drain Pad
 
  • Excellent Thermal Conduction
Применения   End Products
  • High Side Load Switch
  • DC-DC Converters (Buck and Boost Circuits)
  • Optimized for Battery and Load Management Applications inPortable Equipment
  • Li-Ion Battery Linear Mode Charging
 
  • Cell Phone, DSC, PMP, GPS, Portable Games, DPF, others
Технические информацие
Статьи по применению (2) Спецификацие (1)
Модели - Симуляция (4) Типы корпусов (1)
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
NTLJS2103PTAG Last Shipments 
Pb-free
Halide free
Power MOSFET -12V -7.7A 40 mOhm Single P-Channel WDFN6 WDFN-6 506AP 1 Tape and Reel 3000  
NTLJS2103PTBG Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET -12V -7.7A 40 mOhm Single P-Channel WDFN6 WDFN-6 506AP 1 Tape and Reel 3000 $0.2067
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : Contact Factory
PandS   (2015-07-09) : >1K
Market Leadtime (weeks) : 17 to 20
Avnet   (2015-07-09) : >1K
Digikey   (2015-07-09) : >1K
Mouser   (2015-07-09) : >1K
PandS   (2015-07-09) : <1K
Datasheet: NTLJS2103P
Rev. 3 (129.0kB)
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (7)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET -12V -7.7A 40 mOhm Single P-Channel WDFN6   P-Channel   Single   12   8   0.8   5.9   1.9   50   40     12.8       14   1157   300   200   WDFN-6 
Ранее просмотренные схемы
Очистить список

Новые микросхемы
 

NTP8G206N  Power GaN Cascode Transistor, 600 V, 150 mΩ Single N-Channel

  • Fast switching
  • Extremely low Qrr
  • High efficiencies

NDBA180N10B  NDPL180N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 180 A

  • Ultra low on-resistance, as low as 2.8 mΩ
  • Low gate charge of 95 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available