feedback
Rate this webpage

Need
Support?


NTLJS3113P: Power MOSFET -20V -7.7A 40 mOhm Single P-Channel WDFN6

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Power MOSFET -20 V, -9.5 A, µCool¿ Single P-Channel
Rev. 5 (130.0kB)
»Показать данные по надёжности
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (9)
Product Overview
Описание продукта
Power MOSFET -20 V, -9.5 A, µCool™ Single P-Channel 2x2 mm WDFN Package
Отличительные черты
 
  • WDFN Package Provides Exposed Drain Pad for Excellent Thermal Conduction
  • 2x2 mm Footprint Same as SC-88 Package
  • Lowest RDS(on) Solution in 2x2 mm Package
  • 1.5 V RDS(on) Rating for Operation at Low Voltage Logic Level Gate Drive
Применения
  • DC-DC Converters (Buck and Boost Circuits)
  • Optimized for Battery and Load Management Applications in Portable Equipment such as Cell Phones, PDAs, and Media Players
  • High Side Load Switch
Технические информацие
Статьи по применению (2) Спецификацие (1)
Модели - Симуляция (4) Типы корпусов (1)
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
NTLJS3113PT1G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET -20V -7.7A 40 mOhm Single P-Channel WDFN6 WDFN-6 506AP 1 Tape and Reel 3000 $0.16
NTLJS3113PTAG Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET -20V -7.7A 40 mOhm Single P-Channel WDFN6 WDFN-6 506AP 1 Tape and Reel 3000 $0.16
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : 8 to 12
Avnet   (2015-07-09) : >1K
Digikey   (2015-07-09) : >1K
Mouser   (2015-07-09) : >1K
PandS   (2015-07-09) : >1K
Market Leadtime (weeks) : 17 to 20
PandS   (2015-07-09) : >1K
Datasheet: Power MOSFET -20 V, -9.5 A, µCool¿ Single P-Channel
Rev. 5 (130.0kB)
»Показать данные по надёжности
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (9)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET -20V -7.7A 40 mOhm Single P-Channel WDFN6   P-Channel   Single   20   8   1   7.7   3.3   50   40     13     2.9   44   1329   213   120   WDFN-6 
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET -20V -7.7A 40 mOhm Single P-Channel WDFN6   P-Channel   Single   20   8   1   7.7   3.3   50   40     13     2.9   44   1329   213   120   WDFN-6 
Ранее просмотренные схемы
Очистить список

Новые микросхемы
 

NDBA180N10B  NDPL180N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 180 A

  • Ultra low on-resistance, as low as 2.8 mΩ
  • Low gate charge of 95 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available

NTP8G206N  Power GaN Cascode Transistor, 600 V, 150 mΩ Single N-Channel

  • Fast switching
  • Extremely low Qrr
  • High efficiencies