feedback
Rate this webpage

Need
Support?


NTLLD4901NF: Power MOSFET 30V 13A 15 mOhm Dual N-Channel FETky WDFN-8

Overview
Specifications
Datasheet: Power MOSFET and Integrated Schottky Diode, 30 V, Dual N-Channel
Rev. 1 (140.0kB)
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (1)
Product Overview
Описание продукта
Power MOSFET, 30V, High Side 9.5A, Low Side 11A, Dual N Channel, WDFN8
Отличительные черты   Benefits
     
  • Co-Packaged Power Stage Solution
 
  • Minimizes Board Space
  • Low Side MOSFET with Integrated Schottky
   
  • Minimized Parasitic Inductances
   
Применения   End Products
  • DC-DC Converters
  • System Voltage Rails
  • Point of Load
 
  • Desktop & Notebook Computers
  • Graphics Cards
  • Netcom/Telecom Equipment
Технические информацие
Программно-инструментальные средства разработки (1) Спецификацие (1)
Статьи по применению (2) Типы корпусов (1)
Модели - Симуляция (2) Демонстрационные платы - справочники (8)
Информация по демонстрационной плате
Продукт Состояние Compliance Короткое описание Поступок
DUALASYMA5VGEVB Active
Pb-free
Single Phase Buck Converter Dual Asymmetrical AG Evaluation Board
DUALASYMB12VGEVB Active
Pb-free
Single Phase Buck Converter Dual Asymmetrical BG Evaluation Board
Avnet (2015-07-09) : 1
Avnet (2015-07-09) : 2
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
NTLLD4901NFTWG Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 13A 15 mOhm Dual N-Channel FETky WDFN-8 WDFN-8 511BP 1 Tape and Reel 3000 $0.48
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : 2 to 4
Avnet   (2015-07-09) : <1K
Mouser   (2015-07-09) : >1K
Datasheet: Power MOSFET and Integrated Schottky Diode, 30 V, Dual N-Channel
Rev. 1 (140.0kB)
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (1)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 30V 13A 15 mOhm Dual N-Channel FETky WDFN-8   N-Channel   Dual   30   20   2.2   11   1.88     22   15   2.6     1.4     645   300   16   WDFN-8 
Ранее просмотренные схемы
Очистить список

Новые микросхемы
 

NTP8G206N  Power GaN Cascode Transistor, 600 V, 150 mΩ Single N-Channel

  • Fast switching
  • Extremely low Qrr
  • High efficiencies

NDBA100N10B  NDPL100N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 100 A

  • Low on-resistance as low as 6.9 mΩ
  • Low gate charge of 35 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available