feedback
Rate this webpage

Need
Support?


NTLUF4189NZ: Small Signal MOSFET 30V 1.5A 200 mOhm Single N-Channel UDFN6 with ESD Protection

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Single N-Channel 30 V MOSFET plus Schottky Barrier Diode
Rev. 1 (149.0kB)
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (7)
Product Overview
Описание продукта
30 V, N-Channel with 0.5 A Schottky Barrier Diode, 1.6 x 1.6 x 0.55 mm µCool™ Package
Отличительные черты   Benefits
     
  • Low Qg and Capacitance
 
  • Minimize Switching Losses
  • Low Profile UDFN 1.6x1.6x0.55 mm
 
  • Board Space Saving
  • Low Vf Schottky Diode
 
  • Minimize Power Loss
  • Lead Free and Halide Free
 
  • RoHS Compliance
  • ESD Protected Gate
   
Применения   End Products
  • DC-DC Boost Converter
  • Color Display and Camera Flash Regulators
  • Optimized for Power Management in Portable Applications
 
  • Portable Products such as Cell Phones, PMP, DSC, GPS, and others
Технические информацие
Статьи по применению (2) Спецификацие (1)
Модели - Симуляция (4) Типы корпусов (1)
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
NTLUF4189NZTAG Active
Pb-free
Halide free
Small Signal MOSFET 30V 1.5A 200 mOhm Single N-Channel UDFN6 with ESD Protection UDFN-6 517AT 1 Tape and Reel 3000 $0.2
NTLUF4189NZTBG Last Shipments 
Pb-free
Halide free
Small Signal MOSFET 30V 1.5A 200 mOhm Single N-Channel UDFN6 with ESD Protection UDFN-6 517AT 1 Tape and Reel 3000  
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : 13 to 16
Chip1Stop   (2015-07-09) : >1K
Mouser   (2015-07-09) : >1K
PandS   (2015-07-09) : <1K
Market Leadtime (weeks) : Contact Factory
Datasheet: Single N-Channel 30 V MOSFET plus Schottky Barrier Diode
Rev. 1 (149.0kB)
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (7)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Small Signal MOSFET 30V 1.5A 200 mOhm Single N-Channel UDFN6 with ESD Protection   N-Channel   Single   30   8   1.5   1.5   0.8   350   200     1.4     0.4   2.1   95   15   10   UDFN-6 
Ранее просмотренные схемы
Очистить список

Новые микросхемы
 

NDBA100N10B  NDPL100N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 100 A

  • Low on-resistance as low as 6.9 mΩ
  • Low gate charge of 35 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available

NDBA180N10B  NDPL180N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 180 A

  • Ultra low on-resistance, as low as 2.8 mΩ
  • Low gate charge of 95 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available