feedback
Rate this webpage

Need
Support?


NTLUS3A18PZ: Power MOSFET -20V -8.2A 18 mOhm Single P-Channel UDFN6 with ESD Protection

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Power MOSFET, -20 V, -8.2 A, Single Pch, ESD, 2.0x2.0x0.55 mm, uCool, UDFN Package
Rev. 3 (147.0kB)
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (1)
Product Overview
Описание продукта
Power MOSFET, -20 V, -8.2 A, Single Pch, ESD, 2.0x2.0x0.55 mm, uCool, UDFN Package
Отличительные черты   Benefits
     
  • UDFN Package with Exposed Drain Pads
 
  • Excellent Thermal Conduction
  • Low Profile UDFN 2.0x2.0x0.55 mm
 
  • Board Space Saving
  • Ultra Low RDS(on)
 
  • Improve System Efficiency
  • PbFree, Halogen Free/BFR Free
 
  • RoHS Compliant
  • ESD DiodeProtected Gate
   
Применения   End Products
  • Optimized for Power Management Applications for Portable
    Products, such as Cell Phones, Media Tablets, PMP, DSC, GPS, and
    Others
  • Battery Switch
  • High Side Load Switch
 
  • Portable Products such as Cell Phones, Media Tablets, PMP, DSC, GPS, and Others
Технические информацие
Статьи по применению (1) Типы корпусов (1)
Спецификацие (1)  
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
NTLUS3A18PZTAG Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET -20V -8.2A 18 mOhm Single P-Channel UDFN6 with ESD Protection UDFN-6 517BG 1 Tape and Reel 3000 $0.2
NTLUS3A18PZTBG Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET -20V -8.2A 18 mOhm Single P-Channel UDFN6 with ESD Protection UDFN-6 517BG 1 Tape and Reel 3000 $0.2
NTLUS3A18PZTCG Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET -20V -8.2A 18 mOhm Single P-Channel UDFN6 with ESD Protection UDFN-6 517BG 1 Tape and Reel 3000 $0.24
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : 4 to 8
Digikey   (2015-07-09) : >1K
Mouser   (2015-07-09) : >1K
Market Leadtime (weeks) : 4 to 8
Market Leadtime (weeks) : 2 to 4
Datasheet: Power MOSFET, -20 V, -8.2 A, Single Pch, ESD, 2.0x2.0x0.55 mm, uCool, UDFN Package
Rev. 3 (147.0kB)
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (1)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET -20V -8.2A 18 mOhm Single P-Channel UDFN6 with ESD Protection   P-Channel   Single   -20   8   -1   -8.2   1.7   28   18         8.8   12   2240   240   210   UDFN-6 
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET -20V -8.2A 18 mOhm Single P-Channel UDFN6 with ESD Protection   P-Channel   Single   -20   8   -1   -8.2   1.7   28   18         8.8   12   2240   240   210   UDFN-6 
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET -20V -8.2A 18 mOhm Single P-Channel UDFN6 with ESD Protection   P-Channel                                   UDFN-6 
Ранее просмотренные схемы
Очистить список

Новые микросхемы
 

NTP8G202N  Power GaN Cascode Transistor, 600 V, 290 mΩ Single N-Channel

  • Fast switching
  • Extremely low Qrr
  • High efficiencies

NDBA100N10B  NDPL100N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 100 A

  • Low on-resistance as low as 6.9 mΩ
  • Low gate charge of 35 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available