feedback
Rate this webpage

Need
Support?


NTLUS3A90P: Power MOSFET -20V -4A 62 mOhm Single P-Channel UDFN6 with ESD Protection

Overview
Specifications
Datasheet: Single P-Channel 20 V MOSFET
Rev. 2 (139.0kB)
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (1)
Product Overview
Описание продукта
POWER MOSFET, -20 V, -5 A, µCool™ Single P-Channel, ESD, 1.6 x 1.6 x 0.55 mm UDFN Package
Отличительные черты   Benefits
     
  • UDFN Package with Exposed Drain Pads
 
  • Excellent Thermal Conduction
  • Low Profile UDFN 1.6x1.6x0.55 mm
 
  • Board Space Saving, Thin Designs
  • Lowest RDS(on) in 1.6x1.6 Package
 
  • Minimize Conduction Losses, Reduce Power Loss
  • ESD Protected Gate
 
  • Improved Ruggedness, Increased Reliability
  • Halide-Free & Pb-Free
 
  • RoHS Compliance
Применения   End Products
  • High Side Load Switch
  • PA Switch and Battery Switch
 
  • Power Management Applications for Portable
    Products, such as Cell Phones, PMP, DSC, GPS, and others
Технические информацие
Статьи по применению (1) Спецификацие (1)
Модели - Симуляция (4) Типы корпусов (1)
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
NTLUS3A90PZTAG Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET -20V -4A 62 mOhm Single P-Channel UDFN6 with ESD Protection UDFN-6 517AU 1 Tape and Reel 3000 $0.2
NTLUS3A90PZTBG Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET -20V -4A 62 mOhm Single P-Channel UDFN6 with ESD Protection UDFN-6 517AU 1 Tape and Reel 3000 $0.2
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : 4 to 8
Digikey   (2015-07-09) : >1K
Mouser   (2015-07-09) : <1K
PandS   (2015-07-09) : <1K
Market Leadtime (weeks) : 4 to 8
PandS   (2015-07-09) : >1K
Datasheet: Single P-Channel 20 V MOSFET
Rev. 2 (139.0kB)
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (1)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET -20V -4A 62 mOhm Single P-Channel UDFN6 with ESD Protection   P-Channel   Single   20   8   1   5   2.3   95   62     12.3     3.3   6   950   90   85   UDFN-6 
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET -20V -4A 62 mOhm Single P-Channel UDFN6 with ESD Protection   P-Channel   Single   20   8   1   5   2.3   95   62     12.3     3.3   6   950   90   85   UDFN-6 
Ранее просмотренные схемы
Очистить список

Новые микросхемы
 

NDBA100N10B  NDPL100N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 100 A

  • Low on-resistance as low as 6.9 mΩ
  • Low gate charge of 35 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available

NTP8G206N  Power GaN Cascode Transistor, 600 V, 150 mΩ Single N-Channel

  • Fast switching
  • Extremely low Qrr
  • High efficiencies