feedback
Rate this webpage

Need
Support?


NTMD4820N: Power MOSFET 30V 8.0A 20 mOhm Dual N-Channel SO-8

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Power MOSFET, 30 V, 8.0 A, Dual N-Channel
Rev. 2 (135.0kB)
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (3)
Product Overview
Описание продукта
Power MOSFET 30 V, 8 A, Dual N-Channel, SOIC-8
Отличительные черты
 
  • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
  • Low Capacitance to Minimize Driver Losses
  • Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses
  • Dual SOIC-8 Surface Mount Package Saves Board Space
Применения
  • Disk Drives
  • DC-DC Converters
  • Printers
Технические информацие
Статьи по применению (1) Спецификацие (1)
Модели - Симуляция (4) Типы корпусов (1)
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
NTMD4820NR2G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 8.0A 20 mOhm Dual N-Channel SO-8 SOIC-8 751-07 1 Tape and Reel 2500 $0.26
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : 2 to 4
Avnet   (2015-07-09) : >1K
Digikey   (2015-07-09) : >1K
Mouser   (2015-07-09) : >1K
PandS   (2015-07-09) : >1K
Datasheet: Power MOSFET, 30 V, 8.0 A, Dual N-Channel
Rev. 2 (135.0kB)
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (3)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 30V 8.0A 20 mOhm Dual N-Channel SO-8   N-Channel   Dual   30   20   3   8   1.28     27   20   7.7     3.2   8   940   225   125   SOIC-8 
Ранее просмотренные схемы
Очистить список

Новые микросхемы
 

NDBA100N10B  NDPL100N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 100 A

  • Low on-resistance as low as 6.9 mΩ
  • Low gate charge of 35 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available

NTP8G206N  Power GaN Cascode Transistor, 600 V, 150 mΩ Single N-Channel

  • Fast switching
  • Extremely low Qrr
  • High efficiencies