feedback
Rate this webpage

Need
Support?


NTMFD4901NF: Power MOSFET 30 V, High Side 18 A / Low Side 30 A, Dual N-Channel SO8FL

Overview
Specifications
Datasheet: Power MOSFET and Integrated Schottky Diode, 30 V, Dual N-Channel
Rev. 6 (108kB)
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (1)
Product Overview
Описание продукта
Power MOSFET 30 V, High Side 18 A / Low Side 30 A, Dual N-Channel SO8FL
Технические информацие
Программно-инструментальные средства разработки (1) Спецификацие (1)
Статьи по применению (2) Типы корпусов (1)
Модели - Симуляция (2) Демонстрационные платы - справочники (8)
Информация по демонстрационной плате
Продукт Состояние Compliance Короткое описание Поступок
DUALASYMA5VGEVB Active
Pb-free
Single Phase Buck Converter Dual Asymmetrical AG Evaluation Board
DUALASYMB12VGEVB Active
Pb-free
Single Phase Buck Converter Dual Asymmetrical BG Evaluation Board
Avnet (2015-07-09) : 1
Avnet (2015-07-09) : 2
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
NTMFD4901NFT1G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30 V, High Side 18 A / Low Side 30 A, Dual N-Channel SO8FL SO-8FL Dual / DFN-8 506BX 1 Tape and Reel 1500 $0.9113
NTMFD4901NFT3G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30 V, High Side 18 A / Low Side 30 A, Dual N-Channel SO8FL SO-8FL Dual / DFN-8 506BX 1 Tape and Reel 5000 $0.9113
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : 13 to 16
Market Leadtime (weeks) : 13 to 16
Datasheet: Power MOSFET and Integrated Schottky Diode, 30 V, Dual N-Channel
Rev. 6 (108kB)
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (1)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 30 V, High Side 18 A / Low Side 30 A, Dual N-Channel SO8FL   N-Channel   Dual   30   20   2.2   30   2.07     10   2.35   9.7   19.1   5.3   12   1150   360   105   SO-8FL Dual / DFN-8 
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 30 V, High Side 18 A / Low Side 30 A, Dual N-Channel SO8FL   N-Channel   Dual   30   20   2.2   30   2.07     10   2.35   9.7   19.1   5.3   12   1150   360   105   SO-8FL Dual / DFN-8 
Ранее просмотренные схемы
Очистить список

Новые микросхемы
 

NTP8G206N  Power GaN Cascode Transistor, 600 V, 150 mΩ Single N-Channel

  • Fast switching
  • Extremely low Qrr
  • High efficiencies

NTP8G202N  Power GaN Cascode Transistor, 600 V, 290 mΩ Single N-Channel

  • Fast switching
  • Extremely low Qrr
  • High efficiencies